[发明专利]在含硅表面上的选择性沉积

权利要求书

1.一种用于选择性钝化衬底表面的方法，其中所述衬底表面包括包含氮化硅的至少第一表面和包含除氮化硅以外的材料的至少第二表面，该方法包括以下步骤：

a.任选地，用氢等离子体或氨等离子体处理所述表面；和

b.将所述表面暴露于至少一种具有根据式I的结构的有机异氰酸酯：

R-N＝C＝O (I)，

其中R选自H、取代或未取代的C₁-C₁₈直链烷基、取代或未取代的支链C₃-C₁₈烷基、取代或未取代的C₃-C₈环烷基、取代或未取代的C₃-C₁₀杂环基、取代或未取代的C₃-C₁₈烯基、取代或未取代的C₄-C₁₈芳基、取代或未取代的C₅-C₂₀芳基烷基和取代或未取代的C₃-C₁₀炔基，其中所述至少一种有机异氰酸酯选择性地与所述氮化硅反应以钝化所述第一表面，从而保留所述第二表面基本上未反应。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在步骤a和b之前执行的以下步骤：

使所述衬底表面与湿化学组合物接触；

用去离子水冲洗所述表面；和

干燥所述表面，

其中所述湿化学组合物包含选自以下的至少一种：包含H₂O₂(28％aq)、NH₄O₄(28-30％)和H₂O的组合物；HF(0.01％-5％(aq))；过氧化物；RCA清洁化学品SC-1和SC-2；和H₂SO₄/H₂O₂的混合物。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二表面包含选自SiO₂、金属氧化物、铜、钴、钨、非晶硅、多晶硅、单晶硅、锗和非晶氢化锗中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第二表面包含SiO₂。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一种有机异氰酸酯是具有结构C_nF_2n+1CH₂N＝C＝O的氟取代的C₁至C₁₈直链烷基，其中n为1至17。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述至少一种有机异氰酸酯选自CF₃CH₂N＝C＝O、C₂F₅CH₂N＝C＝O、C₃F₇CH₂N＝C＝O、C₄F₉CH₂N＝C＝O、C₅F₁₁CH₂N＝C＝O、C₆F₁₃CH₂N＝C＝O、C₇F₁₅CH₂N＝C＝O、C₈F₁₇CH₂N＝C＝O和C₉F₁₉CH₂N＝C＝O。

7.根据权利要求1所述的方法，其中R是具有结构C_nCl_2n+1CH₂N＝C＝O的氯取代的C₁至C₁₈直链烷基，其中n为1至17。