[发明专利]外延基板在审
| 申请号： | 201980056163.2 | 申请日： | 2019-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN112602171A | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 堀切文正;成田好伸;盐岛谦次 | 申请（专利权）人： | 赛奥科思有限公司;住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;C23C16/34;C30B25/20;C30B29/38;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延 | ||
1.一种外延基板，其具备：
主面为c面的GaN基板；以及
在所述主面上外延生长的GaN层，
所述主面具有偏离角为0.4°以上的区域，在该区域上生长的所述GaN层中的E3陷阱浓度为3.0×1013cm-3以下。
2.根据权利要求1所述的外延基板，其中，在所述区域上生长的所述GaN层中，最大的E3陷阱浓度相对于最小的E3陷阱浓度的比率为1.5倍以下。
3.一种外延基板，其具备：
主面为c面的GaN基板；以及
在所述主面上外延生长的GaN层，
所述主面具有偏离角为0.4°以上的区域，在该区域上生长的所述GaN层中，最大的E3陷阱浓度相对于最小的E3陷阱浓度的比率为1.5倍以下。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的外延基板，其中，在所述区域上生长的所述GaN层中的碳浓度为5×1015cm-3以下。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的外延基板，其中，在所述区域上生长的所述GaN层中的载流子浓度为6×1015cm-3以上。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的外延基板，其中，在所述区域上生长的所述GaN层中的载流子浓度为1×1016cm-3以下。
7.一种外延基板，其具备：
主面为c面的GaN基板；以及
在所述主面上外延生长的GaN层，
所述GaN层中的E3陷阱浓度显示出随着所述主面中的偏离角变大而减少的倾向。
8.根据权利要求7所述的外延基板，其中，在所述倾向中，随着偏离角变大，E3陷阱浓度减少的程度变小。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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