[发明专利]时间相关缺陷检查装置

权利要求书

1.一种用于检查晶片的带电粒子束系统，包括：

带电粒子束源，包括电路系统，所述电路系统在一个或多个时间序列上将带电粒子引导到所述晶片的一个或多个区域；以及

控制器，包括电路系统，所述电路系统用于：

在所述一个或多个时间序列中的第一时间序列期间，生成所述一个或多个区域中的第一区域的第一组图像；以及

处理所述第一组图像，以检测所述晶片中的薄型器件结构中的缺陷。

2.根据权利要求1所述的系统，其中所述控制器包括电路系统，所述电路系统用于：

从所述第一组图像中采样第一图像和第二图像，其中所述第一图像在所述第一时间序列的第一时间处被采样，而所述第二图像在所述第一时间序列的第二时间处被采样；以及

比较所述第一图像与所述第二图像，以标识所述晶片的所述一个或多个区域中的所述第一区域处的所述缺陷。

3.根据权利要求1所述的系统，其中所述控制器包括电路系统，所述电路系统用于：

在所述一个或多个时间序列中的第二时间序列期间，生成所述一个或多个区域中的所述第一区域的第二组图像；

从所述第一组图像中采样第一图像，而从所述第二组图像中采样第二图像；以及

比较所述第一图像与所述第二图像，以标识所述晶片的所述一个或多个区域中的所述第一区域处的所述缺陷。

4.根据权利要求1所述的系统，其中所述控制器包括电路系统，所述电路系统用于：

在所述一个或多个时间序列中的第二时间序列期间，生成所述一个或多个区域中的第二区域的第二组图像，其中所述第一区域和所述第二区域包括相同器件结构；

从所述第一组图像中采样第一图像，而从所述第二组图像中采样第二图像；以及

比较所述第一图像与所述第二图像，以标识所述晶片的所述一个或多个区域中的所述第一区域处或所述第二区域处的所述缺陷。

5.根据权利要求3所述的系统，其中所述第一图像和所述第二图像在所述第一时间序列和所述第二时间序列中的对应时间处被采样。

6.根据权利要求2所述的系统，其中所述第一图像和所述第二图像包括电压对比水平。

7.根据权利要求6所述的系统，其中所述控制器包括电路系统，所述电路系统用于检测所述第一图像的所述电压对比水平与所述第二图像的所述电压对比水平之间的差异，以标识所述薄型器件结构中的缺陷。

8.根据权利要求1所述的系统，其中所述带电粒子束源包括电路系统，所述电路系统用于：

在所述一个或多个时间序列的第一部分期间，预扫描所述晶片的所述一个或多个区域；以及

在所述一个或多个时间序列的第二部分期间，检查所述晶片的所述一个或多个区域。

9.根据权利要求8所述的系统，其中所述带电粒子束源包括电路系统，所述电路系统用于在所述一个或多个时间序列的所述第一部分期间执行所述预扫描的同时，在所述晶片的所述一个或多个区域处建立一个或多个表面电势。

10.根据权利要求9所述的系统，其中所述带电粒子束源执行所述预扫描，直到发生器件击穿为止。

11.根据权利要求1所述的系统，其中所述控制器包括电路系统，所述电路系统用于调整所述第一组图像中的每个图像的生成之间的时间间隔。

12.根据权利要求2所述的系统，其中所述控制器包括电路系统，所述电路系统用于调整所述第二组图像中的每个图像的生成之间的时间间隔。

13.根据权利要求1所述的系统，其中所述缺陷包括与所述区域处的所述薄型器件结构中的电气泄露相关联的电气缺陷。