[发明专利]电极的制造方法和光电转换元件的制造方法在审
申请号: | 201980056531.3 | 申请日: | 2019-09-10 |
公开(公告)号: | CN112789744A | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 内藤胜之;信田直美;齐田穰 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝能源系统株式会社 |
主分类号: | H01L51/44 | 分类号: | H01L51/44;B32B9/00;B32B15/02;H01B13/00;H01L21/288;H01L31/0224;H01L51/50;H05B33/28 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 吴宗颐 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电极 制造 方法 光电 转换 元件 | ||
1.电极的制造方法,其包括以下工序:
在疏水性基材的表面上直接涂布金属纳米材料分散液,以形成金属纳米材料层的工序,
通过在上述金属纳米粒子层的表面上涂布碳材料分散液以形成碳材料层,从而形成包括金属纳米材料层与碳材料层的叠层体的电极层的工序,
将上述碳材料层的表面与亲水性基材直接压接的工序,和
剥离上述疏水性基材,以将上述电极层转印至上述亲水性基材的表面的工序。
2.权利要求1所述的方法,其中,上述亲水性基材为柔软性基材。
3.权利要求1或2所述的方法,其中,上述金属纳米材料的ζ电位比上述疏水性基材低。
4.权利要求1~3任一项所述的方法,其中,上述金属纳米材料为银纳米线。
5.权利要求1~4任一项所述的方法,其中,上述疏水性基材的表面粗糙度为0.2μm以下。
6.权利要求1~5任一项所述的方法,其中,上述碳材料为石墨烯。
7.权利要求1~6任一项所述的方法,其中,上述碳材料为键合有聚乙烯亚胺链的石墨烯。
8.权利要求1~6任一项所述的方法,其中,上述碳材料为剥离了石墨的石墨烯。
9.权利要求1~8任一项所述的方法,其中,上述疏水性基材含有聚四氟乙烯。
10.权利要求1~9任一项所述的方法,其中,在碳材料层的表面上进一步形成含有第3物质的层。
11.权利要求1~10任一项所述的方法,其包括对上述电极层进一步加工的工序。
12.光电转换元件的制造方法,其中,所述光电转换元件具备:第1电极、第2电极和夹在它们之间的光电转换层,
所述制造方法包括以下工序:
准备在上述第2电极的表面上形成有上述光电转换层的复合体的工序,
在疏水性基材的表面上直接涂布金属纳米材料分散液,以形成金属纳米材料层的工序,
通过在上述金属纳米粒子层的表面上涂布碳材料分散液以形成碳材料层,从而形成包括金属纳米材料层与碳材料层的叠层体的电极层的工序,
将上述碳材料层的表面与上述光电转换层直接压接的工序,和
剥离上述疏水性基材,以将上述电极层转印至上述光电转换层的表面而形成第1电极的工序。
13.权利要求12所述的方法,其中,上述复合体是柔性的。
14.权利要求12或13所述的方法,其中,上述金属纳米材料的ζ电位比上述疏水性基材低。
15.权利要求12~14任一项所述的方法,其中,上述金属纳米材料为银纳米线。
16.权利要求12~15任一项所述的方法,其中,上述碳材料为石墨烯。
17.权利要求12~16任一项所述的方法,其中,在碳材料层的表面上进一步形成含有第3物质的层。
18.权利要求12~17任一项所述的方法,其中,包括对上述第1电极进一步加工的工序。
19.权利要求12~18任一项所述的方法,其中,上述光电转换元件为有机EL元件。
20.权利要求12~18任一项所述的方法,其中,上述光电转换元件为太阳能电池。
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