[发明专利]摄像装置及电子设备在审
申请号: | 201980056722.X | 申请日: | 2019-08-26 |
公开(公告)号: | CN112640107A | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 山崎舜平;濑尾哲史;楠纮慈;池田隆之 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L27/146;H01L27/15;H01L29/786;H04N5/369 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 宋俊寅 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 摄像 装置 电子设备 | ||
提供一种包括光源的薄型摄像装置。一种包括发射红外光的发光器件的摄像装置,其中,像素电路所包括的光电转换器件接收由发光器件发射且由拍摄对象反射的红外光。因为作为发光器件使用EL元件,所以可以构成包括光源的薄型摄像装置。此外,通过采用利用具有关态电流小的特性的氧化物半导体晶体管的像素电路,可以以全局快门方式进行摄像,即使拍摄对象移动也可以得到没有应变的图像。
技术领域
本发明的一个方式涉及一种摄像装置。
注意,本发明的一个方式不局限于上述技术领域。本说明书等所公开的发明的一个方式的技术领域涉及一种物体、方法或制造方法。另外,本发明的一个方式涉及一种程序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。因此,更具体而言,作为本说明书等所公开的本发明的一个方式的技术领域的例子,可以举出半导体装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、照明装置、蓄电装置、存储装置、摄像装置、它们的驱动方法或者它们的制造方法。
注意,在本说明书等中,半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。晶体管、半导体电路为半导体装置的一个方式。另外,存储装置、显示装置、摄像装置、电子设备有时包含半导体装置。
背景技术
使用形成在衬底上的氧化物半导体薄膜构成晶体管的技术受到关注。例如,专利文献1公开了将包括氧化物半导体的关态电流非常低的晶体管用于像素电路的结构的摄像装置。
[先行技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利申请公开第2011-119711号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
摄像装置不但被用作使可见光图像化的手段,而且还被用于各种用途。例如,摄像装置被用于个人识别、缺陷分析、医疗诊断、安全领域等用途等。在这些用途中,除了可见光之外根据用途分别使用X射线等短波长的光、红外线等长波长的光等。
有时作为可见光及红外线利用自然光或室内光,而且目前专用光源的使用也在普及中。在很多情况下,作为光源使用电球型灯或LED等,但是当它们与摄像装置组合时在小型化、薄型化的方面有课题。
因此,本发明的一个方式的目的之一是提供一种包括光源的摄像装置。另外,本发明的一个方式的目的之一是提供一种包括薄型光源的摄像装置。另外,本发明的一个方式的目的之一是提供一种包括薄型光源,并摄像从该光源发射且来自拍摄对象的反射光的摄像装置。另外,本发明的一个方式的目的之一是提供一种包括薄型红外光源的摄像装置。
另外,本发明的一个方式的目的之一是提供一种低功耗的摄像装置。另外,本发明的一个方式的目的之一是提供一种能够进行高速摄像的摄像装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种可靠性高的摄像装置。另外,本发明的一个方式的目的之一是提供一种新颖的摄像装置。另外,本发明的一个方式的目的之一是提供一种上述摄像装置的工作方法。另外,本发明的一个方式的目的之一是提供一种新颖的半导体装置等。
注意,这些课题的记载不妨碍其他课题的存在。注意,本发明的一个方式并不需要实现所有上述课题。上述课题以外的课题可以显而易见地从说明书、附图、权利要求书等的描述中看出,并且可以从该描述中抽取上述课题以外的课题。
解决技术问题的手段
本发明的一个方式涉及一种包括光源的薄型摄像装置。
本发明的一个方式是一种摄像装置,包括:第一层;以及第二层,其中,第一层及第二层包括彼此重叠的区域,第一层包括像素电路,第二层包括发光器件,像素电路包括光电转换器件及晶体管,发光器件包括第一电极、第二电极及发光层,发光层设置在第一电极和第二电极之间,并且,光电转换器件包括不与第一电极重叠的区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的