[发明专利]突状构造体、衬底、其制造方法、及发光元件

权利要求书

1.一种突状构造体，包含无机材料，

区分为圆顶部、及位在所述圆顶部之下的基础部，且

所述圆顶部的表面具有以100～1000nm的平均间距排列有多个凸部的微细凹凸构造，

所述圆顶部的高度(nm)相对于所述圆顶部的宽度(nm)的比为0.25～0.6，

所述基础部的侧面相对于高度方向的倾斜角为0度以上且低于21度，将所述突状构造体在高度方向上进行16分割时的每1区隔的所述倾斜角的变化量低于10度，

所述基础部的高度(nm)相对于所述基础部的宽度(nm)的比为0.1～0.25，

所述基础部的宽度(nm)相对于所述微细凹凸构造的平均间距(nm)的比为3～60。

2.根据权利要求1所述的突状构造体，其中所述基础部(nm)的高度相对于所述突状构造体的高度(nm)的比为0.18～0.44。

3.根据权利要求1或2所述的突状构造体，其中所述突状构造体的高度为400～3500nm。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的突状构造体，其中所述无机材料为蓝宝石。

5.一种衬底，包含无机材料且具有光提取面，且

所述光提取面具有平坦部、及从所述平坦部突出的多个突状构造体，

所述多个突状构造体包含根据权利要求1至4中任一项的突状构造体。

6.一种衬底的制造方法，其是在包含无机材料的基材之上形成以100～1000nm的平均间距排列有多个蚀刻掩膜的第1蚀刻掩膜图案，

对所述第1蚀刻掩膜图案进行干式蚀刻，在所述基材形成排列有多个凸部的微细凹凸构造，

在形成有所述微细凹凸构造的基材之上形成第2蚀刻掩膜图案，该第2蚀刻掩膜图案包含覆盖2个以上的所述凸部的尺寸的多个蚀刻掩膜，

对所述第2蚀刻掩膜图案以偏压电力X₁进行干式蚀刻，继而以偏压电力X₂(其中，X₁×1/6≦X₂≦X₁×4/5)进行干式蚀刻，在所述基材形成多个突状构造体。

7.根据权利要求6所述的衬底的制造方法，其中在形成所述第2蚀刻掩膜图案之前，在所述微细凹凸构造之上涂布热固性涂布材料，通过加热处理使所述热固性涂布材料硬化。

8.一种衬底的制造方法，其是在包含无机材料的基材之上形成以100～1000nm的平均间距排列有多个蚀刻掩膜的第1蚀刻掩膜图案，

在所述第1蚀刻掩膜图案之上涂布热固性涂布材料，通过加热处理使所述热固性涂布材料硬化，在其硬化物之上形成第2蚀刻掩膜图案，该第2蚀刻掩膜图案包含覆盖2个以上的所述蚀刻掩膜的尺寸的多个蚀刻掩膜，

对所述第1蚀刻掩膜图案、所述热固性涂布材料的硬化物、及所述第2蚀刻掩膜图案以偏压电力X₁进行干式蚀刻，继而以偏压电力X₂(其中，X₁×1/6≦X₂≦X₁×4/5)进行干式蚀刻，在所述基材形成具有在表面排列有多个凸部的微细凹凸构造的多个突状构造体。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的衬底的制造方法，其中使用涂布型蚀刻掩膜材料分别形成所述第1蚀刻掩膜图案及所述第2蚀刻掩膜图案。

10.一种发光元件，其具有根据权利要求5所述的衬底、及半导体层。