[发明专利]用于制造导体电路的方法和电子模块在审
申请号: | 201980056781.7 | 申请日: | 2019-08-30 |
公开(公告)号: | CN112602183A | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | C.卡西格诺尔;A.亨塞尔;D.佩卡纳克;O.拉布;S.斯特格迈尔;E.维斯布罗德 | 申请(专利权)人: | 西门子股份公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/31;C23C4/06;C23C4/123;C23C4/126;C23C4/129;C23C4/131;C23C4/134;H01L25/07;H01L23/373 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张建锋 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 导体 电路 方法 电子 模块 | ||
一种用于制造至少一个导体电路的方法,其中,提供由热塑性塑料(90)构成的表面,并且在所述表面借助热学喷射沉积出导体电路材料(110)。一种电子模块尤其是功率模块,并且所述电子模块包括由热塑性塑料构成的表面,热学喷射的导体电路(130)布置在所述表面上。
本发明涉及一种用于制造导体电路(或称为线路)的方法以及一种电子模块。
在微系统技术和电子学、例如工业电子学中,无源的构件、半导体构件和基板、例如电路板借助构造技术和连接技术导电地相互连接。
已知的是,借助胶粘、焊接、扩散焊接或烧结将构件导电地连接在基板上。
对于远离基板的电触头已知的是,使用所谓的金属丝压焊技术(或者说打线技术、金属丝键合、丝焊)、也称为细带压焊技术。但是在金属丝压焊技术中施加压力,该压力可以损坏电气构件、例如尤其半导体构件。此外,在金属丝压焊技术中在运行时、由于压焊中使用的金属丝的较小的横截面、会局部地出现温度升高,这种温度升高在设计电子模块时要被考虑。此外,由于使用压焊的金属丝会出现电气感应,这种电气感应可能导致电气干扰。此外,在金属丝压焊技术中严重限制了导体电路实施。
相对于金属丝压焊技术备选地,也采用平面的构造技术和连接技术。但是,平面的导体电路的制造常常很难被实现或者仅能在非常特殊的使用情况下实现。
由此,导体电路的烧结要求很高的压力,同时导体电路的已知的银烧结决定了很高的处理费用。依据光技术和电镀技术的平面的构造技术和连接技术反之意味着非常复杂的制造过程。
不利的是,通过这种平面的构造技术和连接技术、例如通过在施加的烧结糊中的热结聚可能出现应力或者折断或者在制造或运行电子模块中出现脱层。在导体电路和绝缘件之间的脱层尤其可以导致缝隙和由于缝隙导致部分放电,这引起这种电子模块的过早的失效。
本发明所要解决的技术问题是,提供用于制造导体电路的方法,所述方法一方面可以简单且廉价地实现并且同时允许以较高的温度突变稳定性制造并且以较高的抗局部放电性制造。此外,本发明所要解决的技术问题是,提供一种电子模块,该电子模块具有较高的温度突变稳定性以及较高的抗局部放电性。
所述技术问题按照本发明通过具有权利要求1所述的技术特征的用于制造至少一个导体电路的方法以及具有权利要求9所述的技术特征的电子模块解决。本发明的优选的改进方案由从属权利要求、以下说明和附图提供。
在按照本发明的用于制造至少一个导体电路的方法中,提供由热塑性塑料构成的表面,并且导体电路材料借助热学喷射沉积在所述表面上。因此借助按照本发明的方法,如此沉积导体电路材料,从而借助热学喷射将构成导体电路材料的颗粒、也就是具有热的表面温度的颗粒施加在由热塑性塑料构成的表面上。由于颗粒的较高的表面温度和/或由于颗粒的动能,颗粒对热塑性塑料施加动能和热能,所述颗粒如此变形并且有利地甚至熔化,使得颗粒首先被喷射到表面上,所述颗粒可以完全或部分地侵入热塑性塑料内并且有利地可以被热塑性塑料围绕。
通过继续的热学喷射,由热塑性塑料构成的表面转变为界限区域(或称为边界区域),在界限区域中远离表面地绝大部分是几乎完整的热塑性塑料并且在界限区域内热塑性塑料的比例降低,有利于导体电路材料的升高的比例。反之,在界限区域的表面上则主要存在如此大的密度的由导体电路材料构成的颗粒,使得进一步沉积的导体电路材料更容易附着在界限区域的表面上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造