[发明专利]溅射装置及成膜方法

权利要求书

1.一种溅射装置，其具有：真空室，其中相对配置有待处理基板和靶；等离子体产生装置，其在真空室内产生等离子体；以及磁铁单元，以真空室内从基板朝向靶的方向为上，所述磁铁单元配置在靶的上方；所述溅射装置的特征在于：

磁铁单元具有基板侧的极性不同的多个磁铁，在位于靶中心和其周边缘部之间的靶的下方空间中局部作用漏磁场，所述漏磁场中通过磁场的垂直分量为零的位置的线以两端相连状闭合，

磁铁单元在从靶中心朝向其周边缘部的虚拟线上被分割成多个部分，所述多个部分分别具有多个磁铁，所述磁铁单元还具有：驱动装置，其绕靶中心分别旋转驱动各部分；以及角速度控制装置，其在维持漏磁场的两端相连状的范围内控制各部分的角速度。

2.一种成膜方法，其将待处理基板和靶相对配置在真空室内，在真空室内产生等离子体，对靶进行溅射并在基板表面形成薄膜，所述成膜方法的特征在于：

在真空室内以从基板朝向靶的方向为上，在成膜过程中，通过配置在靶的上方的磁铁单元，在位于靶中心和其周边缘部之间的靶的下方空间中局部作用漏磁场，所述漏磁场中通过磁场的垂直分量为零的位置的线两端相连状地闭合；

所述成膜方法具有：

信息获取工序，其中作为磁铁单元而使用在从靶中心朝向其周边缘部的虚拟线上被分割成多个部分的装置且所述多个部分分别具有多个磁铁，绕靶中心同步地旋转驱动各部分并在基板表面形成薄膜，获取基板面内的薄膜厚度分布的相关信息；

角速度决定工序，其中基于在信息获取工序获取的薄膜厚度分布的相关信息，在维持漏磁场的两端相连状的范围内分别决定各部分的角速度；以及

成膜工序，其中按照在角速度决定工序中决定的旋转速度分别旋转驱动磁铁单元的各部分并在基板表面形成薄膜。

3.根据权利要求2所述的成膜方法，其特征在于：

在成膜过程中，将相对于靶使漏磁场局部作用的区域从起点开始在同一轨道上移动并返回该起点的周期至少进行一回以上，

在所述信息获取工序中，获取以规定的基准角速度分别旋转磁铁单元的各部分形成薄膜时的薄膜厚度分布的相关信息，

在所述角速度决定工序中，将一个周期中磁铁单元的各部分的轨道分别划分为多个区，分别以至少一个区作为基准区，对基准区以外的每个区，基于所述信息获取工序中获取的薄膜厚度分布的相关信息分别决定在所述基准角速度上的增速量或减速量。