[发明专利]使用纳米结构材料的传输线及其制造方法

说明书

公开了使用纳米结构材料制造传输线的方法和制造该传输线的方法。使用纳米结构材料的所述传输线包括：第一纳米氟隆层，其由纳米氟隆形成；第一绝缘层，其定位在所述第一纳米氟隆层上方；第一图案，其通过蚀刻形成在所述第一绝缘层上的第一导电层而形成；以及第一接地层，其定位在所述第一纳米氟隆层下方。这里，纳米氟隆是通过在高电压下静电纺丝液体树脂而形成的纳米结构材料。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年8月31日提交的韩国专利申请No.2018-0103892的优先权和权益，其公开内容通过整体引用合并于此。

技术领域

本发明涉及一种传输线，更具体地，涉及一种使用通过在高电压下静电纺丝液体树脂而形成的纳米结构材料的传输线以及制造该传输线的方法。

背景技术

为了以小损耗传输或处理超高频信号，低损耗和高性能传输线是必要的。通常，传输线处的损耗大致分为由金属引起的导体损耗和由电介质引起的介电损耗。特别地，当电介质的介电常数较高时，由电介质引起的损耗增加，并且当电阻较大时，功率损耗增加。

因此，为了制造用于传输超高频信号的低损耗和高性能传输线，必须使用具有低介电常数和小损耗正切值的材料。特别地，为了有效地发送在5G移动通信网络中使用的具有3.5GHz频带到28GHz频带中的频率的信号，甚至在超高频带中具有低损耗的传输线的重要性也越来越增加。

发明内容

本发明旨在提供一种使用纳米结构材料的传输线，该纳米结构材料具有低介电常数并且能够在该低介电常数下减小损耗正切值，以减小由电介质引起的传输线损耗。

本发明还旨在提供一种使用通过静电纺丝形成的纳米结构材料制造传输线的方法，该纳米结构材料具有低介电常数并且能够在该低介电常数下减小损耗正切值，以减小由电介质引起的传输线损耗。

根据本发明的一个方面，提供了一种使用纳米结构材料的传输线。所述传输线包括：第一纳米氟隆层，其由纳米氟隆形成；第一绝缘层，其定位在所述第一纳米氟隆层上方；第一图案，其通过蚀刻形成在所述第一绝缘层上的第一导电层而形成；以及第一接地层，其定位在所述第一纳米氟隆层下方。这里，所述纳米氟隆是通过在高电压下静电纺丝液体树脂而形成的纳米结构材料。

所述第一图案可以包括通过蚀刻所述第一导电层形成的接地线和信号线。所述传输线可进一步包括：第二纳米氟隆层，其定位在形成于所述第一绝缘层上的所述第一图案上，并且所述第一绝缘层通过所述蚀刻暴露；以及第二接地层，其定位在所述第二纳米氟隆层上。

所述传输线可以进一步包括：第二纳米氟隆层，其定位在形成于所述第一绝缘层上的所述第一图案上，并且所述第一绝缘层通过所述蚀刻暴露；第二接地层，其定位在所述第二纳米氟隆层上；第三纳米氟龙层，其定位在所述第二接地层上；第二绝缘层，其定位在所述第三纳米氟龙层上；以及第二图案，其通过蚀刻形成在所述第二绝缘层上的第二导电层而形成，并且所述传输线发送信号。

所述第二图案可以包括通过蚀刻所述第二导电层形成的接地线和被配置为发送信号的信号线。

所述传输线可进一步包括：第四纳米氟隆层，其定位在形成于所述第二绝缘层上的所述第二图案上，并且所述第二绝缘层通过所述蚀刻暴露；以及第三接地层，其定位在所述第四纳米氟隆层上。所述第一绝缘层和所述第二绝缘层可以由聚酰亚胺(PI)形成，导电层可以由铜(Cu)形成。

根据本发明的另一个方面，提供了一种使用纳米结构材料制造传输线的方法。该方法包括：在第一绝缘层上形成第一导电层；通过蚀刻所述第一导电层来形成发送和接收信号的第一图案；在由纳米氟隆形成的第一纳米氟隆层上方定位所述第一绝缘层；以及在所述第一纳米氟隆层下方定位第一接地层。这里，纳米氟隆是通过在高电压下静电纺丝液体树脂而形成的纳米结构材料。形成所述第一图案可以包括通过蚀刻所述第一导电层形成接地线和信号传输线。