[发明专利]具有电镀管芯附接件的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体管芯附接的方法，包含：

提供电介质盖和金属衬底，所述电介质盖具有凹槽的第一重复图案，所述金属衬底包括第二重复图案，所述第二重复图案具有匹配所述第一重复图案的位置，所述第一重复图案包括中心通孔开孔，所述中心通孔开孔具有位置匹配所述凹槽的外环和围绕所述通孔开孔的多根凸起迹线，所述多根凸起迹线包含所述金属衬底上的电介质基层上的金属层；

将半导体管芯顶侧向上插入到所述多个开孔中的相应多者中以坐置在所述外环上，所述半导体管芯具有背侧金属层即BSM层；

将所述电介质盖放置在所述半导体管芯上方以形成多个叠堆；

沿外围在所述电介质盖和所述金属衬底之间进行密封；

将所述叠堆浸渍在溶液容器内的金属电镀溶液中，其中所述金属衬底连接至电源的负端子，并且与所述金属衬底间隔开的导电结构连接至所述电源的正端子；以及

电镀以沉积电镀的单个金属层，从而填充所述BSM层和所述金属衬底的壁之间的体积以提供管芯附接，所述壁限定所述开孔。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属电镀溶液包含铜电镀溶液。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述电介质基层包含聚酰亚胺。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述BSM层、所述金属衬底和所述单个金属层均包含铜。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属衬底是衬底片材的一部分，所述衬底片材包括多个所述金属衬底，所述方法进一步包含：

将焊线放置在所述多根凸起迹线和所述半导体管芯上的焊盘之间；

在所述放置之后，切割所述衬底片材以形成多个封装半导体装置前体，所述多个封装半导体装置前体包括第一封装半导体装置前体；

添加引线，所述引线具有至少一个弯曲件，所述至少一个弯曲件接触所述多根凸起迹线上的所述金属层，并且包括远侧部分，所述远侧部分延伸越过所述金属衬底，以及

模制以形成模制复合物，从而添加包封以形成第一封装半导体装置。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述电镀的单个金属层为20μm至100μm厚。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述电介质盖包含塑料。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述电镀在从15℃到30℃的温度下执行。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述密封包含将带材沿所述外围放置在所述电介质盖和所述金属衬底之间。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述电镀包含直流电镀。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述电镀包含脉冲电镀。

12.一种封装半导体装置，包含：

金属衬底，所述金属衬底具有中心开孔，所述中心开孔带有围绕所述中心开孔的多根凸起迹线，所述多根凸起迹线包含电介质基层上的金属层；

半导体管芯，所述半导体管芯具有背侧金属层即BSM层，所述半导体管芯顶侧向上安装在所述开孔的顶部上；

单个金属层，所述单个金属层直接位于所述BSM层和所述金属衬底的壁之间以提供管芯附接，所述壁限定所述中心开孔，所述管芯附接填充所述开孔的底部；

引线，所述引线具有至少一个弯曲件，所述至少一个弯曲件接触所述多根迹线上的所述金属层并且包括延伸越过所述金属衬底的远侧部分；

焊线，所述焊线位于所述多根迹线和所述半导体管芯上的焊盘之间，以及

模制复合物，所述模制复合物提供包封。

13.根据权利要求12所述的封装半导体装置，其中所述电介质基层包含聚酰亚胺。