[发明专利]硅试样的碳浓度评价方法、硅晶片制造工序的评价方法、硅晶片的制造方法和硅单晶锭的制造方法

说明书

本发明提供一种硅试样的碳浓度评价方法，其包括：向评价对象硅试样导入氢原子；通过评价硅的带隙中的陷阱能级的评价法，对导入了上述氢原子的评价对象硅试样进行评价；以及基于在由上述评价得到的评价结果中与选自由Ec‑0.10eV、Ec‑0.13eV和Ec‑0.15eV构成的组中的至少一个陷阱能级的密度相关的评价结果，评价上述评价对象硅试样的碳浓度；通过使评价对象硅试样与溶液接触，进行上述氢原子的导入，并且上述溶液是摩尔比(HNOsubgt;3/subgt;/(HNOsubgt;3/subgt;+HF))为0.72以上0.82以下的范围或0.87以上0.91以下的范围的硝氟酸。

技术领域

本发明涉及硅试样的碳浓度评价方法、硅晶片制造工序的评价方法、硅晶片的制造方法和硅单晶锭的制造方法。

背景技术

近年来，正在研究评价硅试样的碳浓度(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-191800号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

在作为半导体基板使用的硅晶片中，希望降低引起器件特性下降的杂质污染。近年来，作为包含于硅晶片的杂质，碳受到关注，正在研究降低硅晶片的碳污染。

为了降低碳污染，评价硅试样的碳浓度，希望基于评价结果，管理硅晶片的制造工序、切出硅晶片的硅单晶锭的制造工序，以降低在制造工序中混入的碳。发现用于评价硅试样的碳浓度的新的方法在进行这种工序管理方面是有用的。

本发明的一种方式的目的在于提供一种用于评价硅试样的碳浓度的新的方法。

用于解决技术问题的手段

本发明的一种方式涉及一种硅试样的碳浓度评价方法(以下也记载为“碳浓度评价方法”)，其包括：

向评价对象硅试样导入氢原子；

对导入了上述氢原子的评价对象硅试样进行基于评价硅的带隙中的陷阱能级的评价法的评价；以及

基于在由上述评价得到的评价结果中与选自由Ec(导带底部的能量)-0.10eV、Ec-0.13eV和Ec-0.15eV构成的组中的至少一个陷阱能级的密度相关的评价结果，评价上述评价对象硅试样的碳浓度，

通过使评价对象硅试样与溶液接触，进行上述氢原子的导入，并且

上述溶液是摩尔比(HNO₃/(HNO₃+HF))为0.72以上0.82以下范围或0.87以上0.91以下范围的硝氟酸。

在一种方式中，在上述碳浓度评价方法中，可以对导入了上述氢原子的评价对象硅试样不进行电子线照射处理而进行上述评价。

在一种方式中，可以基于由上述评价得到的评价结果中与Ec-0.15eV的陷阱能级的密度相关的评价结果，进行上述评价对象硅试样的碳浓度的评价。

在一种方式中，上述评价法可以是DLTS法(Deep-Level TransientSpectroscopy，深能级瞬态谱)。

本发明的一种方式涉及一种硅晶片制造工序的评价方法(以下也记载为“制造工序评价方法”)，其包括：

通过上述碳浓度评价方法，评价在评价对象的硅晶片制造工序中制造的硅晶片的碳浓度；以及

基于上述评价的结果，评价评价对象的硅晶片制造工序中的碳污染的程度。

本发明的一种方式涉及一种硅晶片的制造方法，其包括：