[发明专利]形成含硅层的方法

权利要求书

1.一种形成硅帽的方法，所述方法包括以下步骤：

在维持于第一温度下的基板材料的表面上沉积硅层；和

于第二温度下在不破坏真空的情况下加工所述硅层，以形成大体上不包括氧原子的硅帽。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述基板材料包括SiGe。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述硅帽大体上不包括锗。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述表面具有形成在所述表面上的三维特征，并且所述硅帽与所述表面共形。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述第一温度小于或等于约700℃。

6.如权利要求1所述的方法，其中加工所述硅层提供具有较少缺陷或改善的电性质的硅帽。

7.如权利要求1所述的方法，进一步包括使所述硅帽氧化。

8.如权利要求7所述的方法，其中使所述硅帽氧化包括将所述硅帽暴露于大体上不包括等离子体的氧化剂。

9.如权利要求8所述的方法，其中将所述硅帽暴露是在约600℃至约700℃的范围中的温度下执行的。

10.如权利要求7所述的方法，其中使所述硅帽氧化包括将所述硅帽暴露于氧化剂的等离子体。

11.如权利要求10所述的方法，其中将所述硅帽暴露是在约450℃至约500℃的范围中的温度下执行的。

12.如权利要求7所述的方法，其中所述硅帽被氧化至预定深度。

13.如权利要求7所述的方法，其中所述硅帽被氧化至原子氧的预定浓度。

14.如权利要求7所述的方法，其中所述硅帽被共形地氧化。

15.一种形成替代金属栅极的方法，所述方法包括以下步骤：

在基板材料的表面上共形地沉积硅层，所述表面具有形成于所述表面上的三维特征，所述基板材料包括SiGe，所述硅层具有在约1nm至约3nm的范围中的厚度，所述硅层大体上不包括锗原子；

在不破坏真空的情况下加工所述硅层，以形成相对于所述硅层具有较少缺陷和改善的电性质的硅帽，所述硅帽大体上既不包括氧原子也不包括锗原子；

使所述硅帽氧化，以在所述硅帽上形成氧化硅覆盖层；

在所述氧化硅覆盖层上沉积虚多晶硅层；

移除所述虚多晶硅层和所述氧化硅覆盖层；和

在所述硅帽上形成替代金属栅极。