[发明专利]用于蚀刻用于半导体应用的结构的方法

权利要求书

1.一种用于图案化基板上的导电层的方法，所述方法包括以下步骤：

以第一流量供应包括含氯气体的气体混合物，以蚀刻设置在所述基板上的第一导电层；

将所述第一气体混合物中的所述含氯气体降低到低于所述第一流量的第二流量，以继续蚀刻所述第一导电层；和

将所述第一气体混合物中的所述含氯气体增加到大于所述第二流量的第三流量，以从所述基板移除所述第一导电层。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一导电层是含Ti层或含Ta层。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述第一气体混合物进一步包括惰性气体。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述含氯气体是Cl₂或HCl。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述第一流量与所述第三流量相同或类似。

6.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：

在蚀刻所述第一导电层之前执行氢处理工艺。

7.如权利要求6所述的方法，进一步包括以下步骤：

在执行所述氢处理工艺的同时，将基板温度维持在大于150摄氏度下。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述基板温度是在约200摄氏度与约300摄氏度之间。

9.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：

在从所述基板移除所述第一导电层之后对所述基板执行后退火工艺。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述后退火工艺进一步包括以下步骤：

将工艺压力维持在约5巴与100巴之间。

11.如权利要求10所述的方法，进一步包括以下步骤：

在执行所述后退火工艺的同时，供应包括含氢气体或含氮气体的退火气体混合物。

12.如权利要求9所述的方法，其中所述后退火工艺致密化暴露在所述基板上的第二导电层。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述第二含材料层是含Ru材料。

14.如权利要求1所述的方法，其中以所述第一流量供应的所述气体混合物从所述含金属材料移除氧化物材料。

15.如权利要求1所述的方法，其中以所述第二流量供应的所述气体混合物移除约5％与约95％之间的所述第一导电层。