[发明专利]晶片形状数据化方法在审

专利信息
申请号: 201980057835.1 申请日: 2019-08-01
公开(公告)号: CN112640072A 公开(公告)日: 2021-04-09
发明(设计)人: 大西理 申请(专利权)人: 信越半导体株式会社
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;H01L21/304
代理公司: 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 代理人: 周蕾
地址: 日本国东京*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 晶片 形状 数据 方法
【权利要求书】:

1.一种晶片形状数据化的方法,其将晶片的形状通过函数进行数据化,所述晶片形状数据化的方法的特征在于,包括:

从晶片的中心开始将圆周360度分割为既定个数的角度,并测量每个角度半径方向的各个位置的厚度形状,

通过6次以上的多项式近似来对每个所述角度进行相对于半径方向的位置的晶片厚度的函数化,

将由测量机输出的厚度形状与由所述函数输出的厚度形状进行比较,

在确定了晶片全体在既定误差以内之后,将每个所述角度的函数作为表示晶片形状的数据。

2.根据权利要求1所述的晶片形状数据化的方法,其特征在于:

所述角度在10度以下。

3.根据权利要求1或2所述的晶片形状数据化的方法,其特征在于:

所述角度为1度以下。

4.根据权利要求1~3任一项所述的晶片形状数据化的方法,其特征在于:

将由所述测量机输出的每个所述角度的厚度形状进行平均化,根据将平均化后的厚度形状进行多次多项式近似后的相关系数来决定所述函数化时的多项式的次数。

5.根据权利要求4所述的晶片形状数据化的方法,其特征在于:

以所述相关系数为0.95以上的次数的多项式进行所述函数化。

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