[发明专利]用于基板处理腔室的气体输入系统有效
申请号: | 201980057950.9 | 申请日: | 2019-07-23 |
公开(公告)号: | CN112640078B | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | T·乌拉维;T·布里彻;A·K·班塞尔 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02;F16K51/02;F16K11/10 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 汪骏飞;侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 处理 气体 输入 系统 | ||
1.一种控制气体的流量的阀系统,所述阀系统包括:
气体歧管;
主流动线路,所述主流动线路部分地形成在所述气体歧管中并且部分地形成在多个气体源阀中,所述多个气体源阀可移除地附接到所述气体歧管;
第一气体源流动线路,所述第一气体源流动线路形成在所述气体歧管中并且通过所述多个气体源阀中的第一气体源阀流体耦接到所述主流动线路;
第二气体源流动线路,所述第二气体源流动线路形成在所述气体歧管中并且通过所述多个气体源阀中的第二气体源阀流体耦接到所述主流动线路,所述第一气体源阀和所述第二气体源阀沿着所述主流动线路串联式定位;以及
第三气体源流动线路,所述第三气体源流动线路形成在所述气体歧管中并且由可移除地附接到所述气体歧管的配接器板与所述主流动线路流体地阻挡。
2.如权利要求1所述的阀系统,其中所述第一气体源阀与所述第二气体源阀被配置成相对于所述主流动线路处于通常开启的位置。
3.如权利要求1所述的阀系统,其中所述主流动线路包括:
形成在所述第一气体源阀中的三向通路;
形成在所述第二气体源阀中的第一双向通路;以及
形成在所述配接器板中的第二双向通路。
4.如权利要求3所述的阀系统,其中所述第二气体源阀定位在所述主流动线路内并且相对于所述第一气体源阀定位在上游处。
5.如权利要求1所述的阀系统,其中第一气体源被配置成与所述第一气体源流动线路流体耦接,并且第二气体源被配置成与所述第二气体源流动线路流体耦接。
6.如权利要求5所述的阀系统,其中所述第一气体源包括反应物气体,并且所述反应物气体包括下述的一者或多者:氧气(O2)、正硅酸乙酯(Si(OC2H5)4)、或甲硅烷(SiH4)。
7.如权利要求6所述的阀系统,其中所述第二气体源包括提供至所述第二气体源流动线路的载气,并且所述载气包括下述的一者或多者:氩气(Ar)、氦气(He)、或氮气(N2)。
8.如权利要求7所述的阀系统,其中所述第一气体源流动线路流体耦接到第一气体源转向器流动线路,所述第一气体源转向器流动线路通过第一气体转向器阀流体耦接到所述第一气体源流动线路,并且其中所述第一气体转向器阀包括双向阀,所述双向阀被配置成相对于所述第一气体源转向器流动线路处于通常关闭的位置。
9.如权利要求8所述的阀系统,其中所述第一气体源阀被配置成在源开启位置与源关闭位置之间移动,其中,在所述源开启位置,所述反应物气体被配置成流至所述主流动线路,并且在所述源关闭位置,所述反应物气体被配置成流至所述第一气体源转向器流动线路。
10.如权利要求9所述的阀系统,其中:
所述第二气体源阀被配置成在源开启位置与源关闭位置之间移动,其中,在所述源开启位置,所述载气被配置成流至所述主流动线路,并且在所述源关闭位置,防止所述载气流至所述主流动线路。
11.如权利要求1所述的阀系统,其中当所述第一气体源阀在源开启位置时,所述第二气体源阀处于源开启位置。
12.如权利要求1所述的阀系统,其中所述主流动线路流体耦接到处理腔室的入口通口,并且所述处理腔室进一步包括出口通口,所述出口通口有真空泵,所述真空泵流体耦接到所述出口通口并且被配置成将气体泵送出所述处理腔室。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造