[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置及程序

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：

对收纳在处理室内的基板供给原料气体的第一气体供给工序；以及

对上述基板供给反应气体的第二气体供给工序，

交替地进行上述第一气体供给工序和上述第二气体供给工序而在上述基板上形成膜，在上述第二气体供给工序中，从供给上述反应气体的反应气体供给系统对上述基板供给上述反应气体，并且以上述反应气体容易到达上述基板的中心部的方式，从与上述反应气体供给系统不同的供给系统对上述基板供给惰性气体。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

从各自独立的气体供给管路对上述基板供给上述第一气体供给工序中的上述原料气体和上述第二气体供给工序中的上述反应气体，在上述第二气体供给工序中，经由在上述第一气体供给工序中供给上述原料气体的气体供给管路对上述基板供给上述惰性气体。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在上述第二气体供给工序中，根据上述基板的表面积对上述惰性气体的供给量进行调整。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在上述第二气体供给工序中，在上述反应气体的供给开始时刻，相对于上述惰性气体的供给量而言使上述反应气体的供给量较多。

5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在上述第二气体供给工序中，使上述反应气体的供给量逐渐减少。

6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在上述第二气体供给工序中，在上述反应气体的供给开始时刻，相对于上述惰性气体的供给量而言使上述反应气体的供给量较少。

7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在上述第二气体供给工序中，使上述反应气体的供给量逐渐增多。

8.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

重复进行多次上述第一气体供给工序和上述第二气体供给工序，

在上述第二气体供给工序中，使上述惰性气体的供给量相对于上述反应气体的供给量发生变化。

9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在上述第二气体供给工序中，相对于上述反应气体的供给量而言使上述惰性气体的供给量较少，并重复进行上述第一气体供给工序和上述第二气体供给工序。

10.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在上述第二气体供给工序中，相对于上述反应气体的供给量而言使上述惰性气体的供给量较多，并重复进行上述第一气体供给工序和上述第二气体供给工序。

11.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在上述重复进行多次的过程中，在前半的上述第二气体供给工序中，相对于上述反应气体的供给量而言使上述惰性气体的供给量较少，并重复进行上述第一气体供给工序和上述第二气体供给工序，

在上述重复进行多次的过程中，在后半的上述第二气体供给工序中，相对于上述反应气体的供给量而言使上述惰性气体的供给量较多，并重复进行上述第一气体供给工序和上述第二气体供给工序。

12.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

将在上述第二气体供给工序中供给上述惰性气体的喷嘴设置于通过供给上述反应气体的喷嘴和排气管的直线的两侧，并使从供给上述惰性气体的喷嘴供给的惰性气体的流量不同。

13.根据权利要求1～12中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

上述反应气体是臭氧气体。