[发明专利]顺应性裸晶附接工具、裸晶附接系统及其使用方法有效
申请号: | 201980058096.8 | 申请日: | 2019-09-04 |
公开(公告)号: | CN112771653B | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
发明(设计)人: | R·H·赫夫斯;R·布鲁韦尔;R·A·范德布尔格 | 申请(专利权)人: | 安必昂公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66;H01L23/00;H05K13/04;H01L21/68 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 李隆涛 |
地址: | 荷兰埃*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 顺应性 裸晶附接 工具 系统 及其 使用方法 | ||
1.一种裸晶附接系统,包括:
支撑结构,其用于支撑基底;
裸晶供应源,其包括用于附接到所述基底的多个裸晶;
结合头,其用于将裸晶从所述裸晶供应源结合到所述基底,所述结合头包括结合工具,所述结合工具具有用于在从所述裸晶供应源到所述基底的转移期间接触所述裸晶的接触部分,所述结合头包括弹簧部分,所述弹簧部分与所述结合工具接合使得所述弹簧部分被配置成在使用所述结合工具的所述接触部分将所述裸晶压靠所述基底期间压缩,
所述裸晶供应源被定位在所述结合工具与所述基底之间,所述裸晶由所述结合工具与结合操作有关地被压靠所述基底;以及
传感器,所述传感器用于检测在将所述裸晶结合到所述基底期间所述弹簧部分的压缩量。
2.根据权利要求1所述的裸晶附接系统,其中,在使用所述结合工具的所述接触部分将所述裸晶压靠所述基底之前,所述弹簧部分在所述接触部分与所述裸晶之间的接触期间开始压缩。
3.根据权利要求1所述的裸晶附接系统,其中,所述裸晶附接系统被配置为基于来自所述传感器的反馈对在将所述裸晶结合到所述基底期间所述结合工具的下降进行控制。
4.根据权利要求1所述的裸晶附接系统,其中,确定预定数据,所述预定数据与所述弹簧部分的为提供所述裸晶到所述基底的期望结合的压缩量有关。
5.根据权利要求4所述的裸晶附接系统,其中,所述压缩量与(i)所述结合头的一部分和(ii)所述结合工具的一部分中的至少一个的z轴线位置有关。
6.根据权利要求1所述的裸晶附接系统,其中,确定预定数据,所述预定数据与将被施加以提供所述裸晶到所述基底的期望结合的结合力的量有关。
7.根据权利要求6所述的裸晶附接系统,其中,所述结合力的量与(i)所述结合头的一部分和(ii)所述结合工具的一部分中的至少一个的z轴线位置有关。
8.根据权利要求1所述的裸晶附接系统,其中,所述结合工具包括至少一个引脚用于与从所述裸晶供应源到所述基底的转移有关地接触所述裸晶。
9.根据权利要求1所述的裸晶附接系统,其中,所述结合工具包括多个引脚,用于与从所述裸晶供应源到所述基底的转移有关地接触所述裸晶。
10.根据权利要求1所述的裸晶附接系统,其中,所述裸晶供应源包括LED晶片,并且所述多个裸晶是多个LED裸晶。
11.根据权利要求1所述的裸晶附接系统,其中,(i)所述裸晶和(ii)被配置为接收所述裸晶的所述基底的结合位置中的至少一个包括粘合剂,以用于在从所述裸晶供应源到所述基底的转移之后将所述裸晶固定至所述结合位置。
12.一种将裸晶附接到基底的方法,所述方法包括以下步骤:
提供裸晶供应源,所述裸晶供应源包括用于附接到所述基底的多个裸晶,所述裸晶供应源定位于结合工具和支撑所述基底的支撑结构之间;
向下移动由结合头承载的所述结合工具,使得所述结合工具的接触部分接触裸晶以将所述裸晶从所述裸晶供应源转移到所述基底,结合头包括与所述结合工具接合的弹簧部分使得所述弹簧部分被配置为在使用所述结合工具的所述接触部分将所述裸晶压靠所述基底期间压缩,
所述裸晶供应源被定位在所述结合工具与所述基底之间,所述裸晶由所述结合工具与结合操作有关地被压靠所述基底;以及
其中所述方法还包括以下步骤:使用传感器检测在将所述裸晶结合到所述基底期间所述弹簧部分的压缩量。
13.根据权利要求12所述的方法,其中,所述弹簧部分在所述接触部分与所述裸晶之间的接触期间与使用所述结合工具的所述接触部分将所述裸晶转移到所述基底有关地压缩。
14.根据权利要求12所述的方法,还包括以下步骤:基于来自所述传感器的反馈,对在移动步骤期间所述结合工具的下降进行控制。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造