[发明专利]Mn-Nb-W-Cu-O系溅射靶及其制备方法

说明书

提供溅射靶及其制备方法，所述溅射靶是在成分组成中含有Mn、Nb、W、Cu和O的Mn‑Nb‑W‑Cu‑O系溅射靶，相对密度为90%以上，并且含有MnNb₂O_3.67的结晶相。

技术领域

本发明涉及特别是对光信息记录介质的记录层的形成有用的Mn-Nb-W-Cu-O系溅射靶及其制备方法。

背景技术

近年来，在光信息记录介质(光盘)的领域中，随着所处理的数据的增大等，要求光盘的大容量化。光盘大致分为只读和记录型，记录型进一步细分为一次写入型和可重写型这2类。作为一次写入型的记录层材料，以往广泛研究了有机色素材料，但随着近年来的大容量化，无机材料也得到广泛研究。

作为使用无机材料的有用的记录方式，有利用以下事实的记录方式：通过对含有分解温度低的无机氧化物的记录层照射激光，记录层的物性变化，光学常数随之变化。作为无机氧化物材料，钯氧化物得到实用化。但是，由于Pd为贵金属，材料成本高，所以期望开发可代替钯氧化物而以低廉的材料成本实现的记录层。

作为以低廉的材料成本得到充分良好的记录特性的记录层，开发了由锰氧化物系材料构成的记录层。例如，在专利文献1中，公开了含有锰氧化物和W等多种无机元素的记录层和为了形成该记录层而使用的溅射靶。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2013/183277号。

发明内容

发明所要解决的课题

在这里，作为用于形成前述由锰氧化物和W等多种无机元素构成的记录层的溅射法，有使用由各自的元素构成的多个溅射靶的多元溅射法和使用含有多种元素的1片复合溅射靶的方法。在专利文献1中，公开了多元溅射法，但存在不仅装置大型化而导致成本上升，而且容易产生组成偏差的缺点。因此，优选使用1片复合溅射靶的溅射。另外，从生产能力的观点出发，与高频溅射相比，期望使用直流(DC)溅射。

但是，在由锰氧化物和W等多种无机元素构成的复合溅射靶中，容易含有WMnO₄等绝缘粒。在DC溅射中，由于对复合溅射靶施加直流电压，所以在因复合溅射靶中的绝缘粒的影响而得不到充分的导电性的情况下，有产生异常放电(电弧)之虞。由于该成膜中的异常放电，对记录层造成损害，导致成品率降低。

本发明鉴于上述情况而成，其目的在于，提供在供DC溅射时抑制异常放电，并且可稳定地成膜的Mn-Nb-W-Cu-O系溅射靶及其制备方法。

解决课题的手段

为了达成上述目的，本发明提供一种溅射靶，所述溅射靶是在成分组成中含有Mn、Nb、W、Cu和O的Mn-Nb-W-Cu-O系溅射靶，相对密度为90%以上，并且含有MnNb₂O_3.67的结晶相。

所述成分组成中，相对于合计100原子%的除O以外的构成元素，Nb和W合计的比例可低于60原子%。

所述溅射靶在所述成分组成中还可含有Zn。

所述溅射靶在所述成分组成中还可含有选自Mg、Ag、Ru、Ni、Zr、Mo、Sn、Bi、Ge、Co、Al、In、Pd、Ga、Te、V、Si、Cr和Tb的至少1种元素。

相对于合计100原子%的除O以外的构成元素，所述选自Mg、Ag、Ru、Ni、Zr、Mo、Sn、Bi、Ge、Co、Al、In、Pd、Ga、Te、V、Si、Cr和Tb的至少1种元素的合计含有率可为8原子%~70原子%。