[发明专利]使用单片集成多量子阱激光器和相位调制器的光电振荡器

权利要求书

1.一种器件，包括：

可调谐多模激光器，所述可调谐多模激光器被配置为产生处于经调谐的波长的多模光信号；以及

反馈回路，所述反馈回路耦接到所述可调谐激光器，以接收所述光信号，并且所述反馈回路包括至少一个延迟线，其中，所述延迟线的输出被反馈到所述可调谐多模激光器，以便为所述多模可调谐激光器提供自注入锁定和自锁相环中的至少一个，

其中，所述多模可调谐激光器包括：

半导体光增益区域，所述半导体光增益区域在所述多模可调谐激光器的第一端处；

反馈区域，所述反馈区域在所述多模可调谐激光器的第二端处，所述反馈区域包括反馈镜，所述反馈镜被配置为维持由模间间隔频率隔开的多个波长处的光信号；以及

相位调制区域，所述相位调制区域在所述半导体光增益区域和反馈区域之间，所述相位调制区域被配置为控制通过所述相位调制区域传输的所述光信号的相位，

其中，反馈到所述激光器中的所述延迟线的所述输出被配置为对所述光增益区域和相位调制区域中的每一个进行偏置，以便降低所述光信号的相位漂移。

2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述多模可调谐激光器由PIN结构形成，所述PIN结构具有p型半导体区域、n型半导体区域以及位于所述p型半导体区域和所述n型半导体区域之间的有源层，其中，所述半导体光增益区域包括沿着所述有源层形成的多量子阱结构。

3.根据权利要求2所述的器件，其中，所述PIN结构由磷化铟形成，其中，所述多量子阱结构由铟镓砷磷化物合金或铟铝砷化物合金中的一种形成。

4.根据权利要求1所述的器件，其中，所述光信号的所述波长的所述模间间隔频率为约40GHz。

5.根据权利要求1所述的器件，其中，所述反馈区域的所述反馈镜是分布式布拉格反射器或法布里-珀罗谐振器中的一个。

6.根据权利要求1所述的器件，其中，所述相位调制区域包括相位调制器，所述相位调制器在6-7伏特之间的施加电压下具有约15度/(V*mm)的灵敏度。

7.根据权利要求1所述的器件，其中，所述反馈回路是包括所述延迟线的自注入锁定部件，并且所述自注入锁定部件还包括：

半导体光放大器，所述半导体光放大器被配置为放大所述延迟线的输出；以及

光组合器，所述光组合器被配置为接收所述激光器产生的所述光信号以及所述延迟线的输出中的每一个，并将所述延迟线输出的输出反馈到所述激光器中。

8.根据权利要求7所述的器件，其中，所述激光器包括第一电流源和第二电流源，所述第一电流源用于控制所述光增益区域处的增益，所述第二电流源用于控制所述相位调制区域处的相位调制，其中，所述第一电流源和所述第二电流源中的每一个彼此电隔离，并且其中，所述光组合器被配置为将所述延迟线的输出馈送到所述第一电流源和所述第二电流源中的每一个中。

9.根据权利要求7-8中任一项所述的器件，其中，所述半导体光放大器具有约2dB的增益，其中，所述反馈回路被配置为在1小时的持续时间内将所述光信号的频率漂移从大于11GHz降低到小于8GHz。

10.根据权利要求7-8中任一项所述的器件，其中，所述半导体光放大器具有约5dB的增益，其中，所述反馈回路被配置为在1小时的持续时间内将所述光信号的频率漂移从大于11GHz降低到小于6GHz。