[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，在共通的半导体衬底(10)上形成有IGBT区域(1)和FWD区域(2)，其特征在于，

具备：

第1导电型的漂移层(11)；

第2导电型的基体层(12)，形成在上述漂移层上；

多个沟槽栅构造，具有在将上述基体层贯通的沟槽(13a、13b)的壁面形成的栅极绝缘膜(14)和在上述栅极绝缘膜上形成的栅极电极(15a、15b)；

第1导电型的发射极区域(19)，在上述基体层的表层部以与形成于上述IGBT区域的上述沟槽相接的方式形成；

第2导电型的集电极层(16)，隔着上述漂移层而形成在上述基体层侧的相反侧；

第1导电型的阴极层(17)，隔着上述漂移层而形成在上述基体层的相反侧并且与上述集电极层邻接；

第1电极(22)，与上述基体层及上述发射极区域电连接；以及

第2电极(18)，与上述集电极层及上述阴极层电连接；

上述集电极层上的区域被设为上述IGBT区域，上述阴极层上的区域被设为上述FWD区域；

上述沟槽是形成于上述IGBT区域的配置作为上述栅极电极的第1栅极电极(14a)的IGBT用沟槽(13a)、和形成于上述FWD区域且配置独立于上述第1栅极电极而被控制的作为上述栅极电极的第2栅极电极(14b)的FWD用沟槽(13b)；

上述IGBT用沟槽是在第1方向上延伸的IGBT用第1沟槽(131a)和在第2方向上延伸的IGBT用第2沟槽(132a)相连通而得到的格子状，上述第1方向沿着上述半导体衬底的面方向上的一个方向，上述第2方向与上述半导体衬底的面方向上的上述第1方向交叉；

上述FWD用沟槽是在上述第1方向上延伸的FWD用第1沟槽(131b)和在上述第2方向上延伸的FWD用第2沟槽(132b)相连通而得到的格子状；

将上述IGBT用第1沟槽中的最靠上述FWD用沟槽侧的沟槽(133a)的中心与上述FWD用第1沟槽中的最靠上述IGBT用沟槽侧的沟槽(133b)的中心之间设为分离单元区域(3a)并且将上述分离单元区域的上述第2方向上的距离设为分离单元间距(W1)，将相邻的上述IGBT用第1沟槽彼此的中心间的最小距离设为IGBT用第1沟槽间距(D1a)，将相邻的上述IGBT用第2沟槽彼此的中心间的最小距离设为IGBT用第2沟槽间距(D2a)，将相邻的上述FWD用第1沟槽彼此的中心间的最小距离设为FWD用第1沟槽间距(D1b)，将相邻的上述FWD用第2沟槽彼此的中心间的最小距离设为FWD用第2沟槽间距(D2b)；

上述分离单元间距比上述IGBT用第1沟槽间距、上述IGBT用第2沟槽间距、上述FWD用第1沟槽间距、上述FWD用第2沟槽间距窄。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在上述分离单元区域，形成有沿上述第1方向延伸的伪沟槽(23)；

在上述伪沟槽(23)，配置有伪绝缘膜(24)和伪电极(25)。