[发明专利]碳纳米管复合体及使用其的分散液、半导体元件及其制造方法有效
申请号: | 201980058884.7 | 申请日: | 2019-09-17 |
公开(公告)号: | CN112672977B | 公开(公告)日: | 2023-06-23 |
发明(设计)人: | 矶贝和生;村濑清一郎;田中龙一;西野秀和 | 申请(专利权)人: | 东丽株式会社 |
主分类号: | C01B32/174 | 分类号: | C01B32/174;B82Y30/00;H01L21/336;H01L29/786;H10K10/46;H10K85/20;H10K71/00 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 纳米 复合体 使用 分散 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
1.碳纳米管复合体,其为在碳纳米管的表面的至少一部分附着有共轭系聚合物的碳纳米管复合体,所述碳纳米管复合体的特征在于,
所述共轭系聚合物具有通式(1)表示的侧链,
[化学式1]
通式(1)中,R表示亚烷基或亚环烷基;X表示单键、亚烯基、亚炔基、亚芳基或亚杂芳基;A表示烷基羰基、芳基羰基、杂芳基羰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、杂芳氧基羰基、烷基羰基氧基、芳基羰基氧基或杂芳基羰基氧基。
2.如权利要求1所述的碳纳米管复合体,其中,所述A为烷基羰基、烷氧基羰基、或烷基羰基氧基。
3.如权利要求1或2所述的碳纳米管复合体,其中,所述A为烷氧基羰基。
4.如权利要求1或2所述的碳纳米管复合体,其中,所述共轭系聚合物在重复单元中包含芴单元或噻吩单元。
5.如权利要求1或2所述的碳纳米管复合体,其中,在所述共轭系聚合物中,将作为其主链所包含的2价基团的、包含1个选自由亚乙烯基、亚乙炔基、亚芳基及亚杂芳基组成的组中的任意一种的2价基团设为1个单元时,
具有通式(1)表示的侧链的单元的数量与共轭系聚合物的全部单元的数量的比率[具有所述通式(1)表示的侧链的单元的数量/所述共轭系聚合物的全部单元的数量]为1/5~1/1。
6.碳纳米管分散液,其至少含有:
碳纳米管复合体,其为在碳纳米管的表面的至少一部分附着有共轭系聚合物的碳纳米管复合体;和
溶剂,
所述碳纳米管分散液的特征在于,
所述碳纳米管复合体为权利要求1~5中任一项所述的碳纳米管复合体。
7.半导体元件,其具备:
基材;
源电极、漏电极及栅电极;
半导体层,其与所述源电极及漏电极接触;和
栅绝缘层,其使所述半导体层与所述栅电极绝缘,
所述半导体元件的特征在于,所述半导体层含有权利要求1~5中任一项所述的碳纳米管复合体。
8.权利要求7所述的半导体元件的制造方法,其包括利用涂布法形成所述半导体层的工序。
9.无线通信装置,其至少具有权利要求7所述的半导体元件和天线。
10.商品标签,其使用了权利要求9所述的无线通信装置。
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