[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 201980059003.3 | 申请日: | 2019-09-17 |
公开(公告)号: | CN112673575A | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
发明(设计)人: | 山崎舜平;米田诚一;宫口厚;井上达则 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H03M1/12 | 分类号: | H03M1/12;H03K17/00;H03K17/693 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,包括:
传感器;
被输入所述传感器的传感器信号的采样保持电路;
被输入所述采样保持电路的输出信号的模拟数字转换电路;
控制电路;
电池;以及
天线,
其中,所述采样保持电路包括第一选择电路、多个信号保持电路及第二选择电路,
并且,所述控制电路在从所述电池被供应电力的第一期间进行控制以由所述第一选择电路将对应于所述传感器信号的电位依次保持在所述多个信号保持电路中且在通过所述天线从外部被供应电力的第二期间进行控制以由所述第二选择电路输出对应于保持在所述多个信号保持电路中的所述电位的所述输出信号。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,
其中所述采样保持电路包括第一晶体管至第四晶体管,
并且所述第一晶体管至所述第四晶体管包括在沟道形成区域中包括氧化物半导体层的半导体层。
3.根据权利要求2所述的半导体装置,
其中所述第一晶体管被用作所述第一选择电路中的选择开关。
4.根据权利要求2所述的半导体装置,
其中所述信号保持电路包括所述第一晶体管及所述第二晶体管,
所述第二晶体管的栅极与所述第一晶体管的源极和漏极中的一方电连接,
并且所述半导体装置具有通过使所述第一晶体管关闭保持对应于所述传感器信号的电位的功能。
5.根据权利要求2所述的半导体装置,
其中所述第二晶体管及所述第三晶体管被用作源极跟随电路。
6.根据权利要求2所述的半导体装置,
其中所述第四晶体管被用作所述第二选择电路中的选择开关。
7.根据权利要求1所述的半导体装置,还包括定时器电路及电源控制电路,
其中所述电源控制电路进行控制以根据所述定时器电路的输出信号使所述传感器及所述第一选择电路间歇地工作。
8.一种半导体装置,包括:
传感器;
被输入所述传感器的传感器信号的采样保持电路;
被输入所述采样保持电路的输出信号的模拟数字转换电路;
控制电路;
电池;以及
光电转换装置,
其中,所述采样保持电路包括第一选择电路、多个信号保持电路及第二选择电路,
所述控制电路在从所述电池被供应电力的第一期间进行控制以由所述第一选择电路将对应于所述传感器信号的电位依次保持在所述多个信号保持电路中且在从所述光电转换装置被供应电力的第二期间进行控制以由所述第二选择电路输出对应于保持在所述多个信号保持电路中的所述电位的所述输出信号。
9.根据权利要求8所述的半导体装置,
其中所述采样保持电路包括第一晶体管至第四晶体管,
并且所述第一晶体管至所述第四晶体管包括在沟道形成区域中包括氧化物半导体的半导体层。
10.根据权利要求9所述的半导体装置,
其中所述第一晶体管被用作所述第一选择电路中的选择开关。
11.根据权利要求9所述的半导体装置,
其中所述信号保持电路包括所述第一晶体管及所述第二晶体管,
所述第二晶体管的栅极与所述第一晶体管的源极和漏极中的一方电连接,
并且所述半导体装置具有通过使所述第一晶体管关闭保持对应于所述传感器信号的电位的功能。
12.根据权利要求9所述的半导体装置,
其中所述第二晶体管及所述第三晶体管被用作源极跟随电路。
13.根据权利要求9所述的半导体装置,
其中所述第四晶体管被用作所述第二选择电路中的选择开关。
14.根据权利要求8所述的半导体装置,还包括光检测装置及电源控制电路,
其中所述电源控制电路进行控制以根据所述光检测装置的输出信号使所述传感器及所述第一选择电路间歇地工作。
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