[发明专利]具有环绕式指状物的太阳能电池在审
申请号: | 201980059192.4 | 申请日: | 2019-09-27 |
公开(公告)号: | CN112673481A | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
发明(设计)人: | 马蒂厄·米诺·赖希;刘易斯·C·阿布拉;大卫·弗雷迪克·乔尔·卡武拉克;安德烈娅·R·鲍林;本杰明·弗朗索瓦;彼得·J·卡曾斯;鲍里斯·巴斯蒂安;本杰明·I·夏;拉斐尔·M·马纳洛 | 申请(专利权)人: | 太阳能公司 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 张娜;顾丽波 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 环绕 式指状物 太阳能电池 | ||
本发明提供一种太阳能电池,所述太阳能电池可包括:第一多个金属接触指状物;以及第二多个金属接触指状物,所述第二多个金属接触指状物与所述第一多个金属接触指状物相互交叉,其中所述第一多个金属接触指状物中的至少一个包括环绕式金属指状物,所述环绕式金属指状物穿过所述太阳能电池的第一边缘与所述至少一个接触焊盘之间。一种光伏(PV)串,其包括太阳能电池,所述太阳能电池具有环绕式金属接触指状物。一种将导电连接器耦接至具有环绕式金属接触指状物的太阳能电池的方法。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年9月28日提交的美国临时申请NO.62/739,064的权益,该临时申请的全部内容据此以引用方式并入本文。
技术领域
本公开整体涉及诸如光伏(PV)电池的太阳能电池的领域。具体地,本公开涉及具有环绕式金属指状物的太阳能电池。
背景技术
光伏(PV)电池(常被称为太阳能电池)是熟知的用于将太阳辐射转换为电能的装置。一般来讲,使用半导体加工技术在基板的表面附近形成p-n结,从而在半导体晶片或基板上制造太阳能电池。射到基板表面上的太阳辐射在大部分基板上形成电子空穴对,这些电子空穴对迁移到基板中的p掺杂区和n掺杂区,从而在掺杂区之间产生电压差。将掺杂区耦接至太阳能电池上的金属触点,以将电流从电池引导至与其耦接的外部电路。
电转换效率是太阳能电池的重要特性,因其直接与太阳能电池的发电能力有关;更高的效率为最终客户提供了附加价值;并且在其他所有条件相同的情况下,更高的效率也降低了每瓦特的制造成本。同样,简化的制造方法提供了通过降低生产单位成本来降低制造成本的机会。因此,提高太阳能电池效率的技术和简化太阳能电池的制造的技术是普遍需要的。
附图说明
将下列详细描述与附图以及所附权利要求书相结合,将容易理解实施例。实施例以举例而非限定的方式示出于附图的图中。
图1是示例性太阳能电池的边缘部分的示意图。
图2A至图2C是具有环绕式金属指状物的太阳能电池的另一边缘部分的示意图。
图3A和图3B是具有连接至互连件的环绕式金属接触指状物的太阳能电池的边缘部分的示意图。
图4是具有图3A和图3B所示的环绕式金属指状物和互连件的太阳能电池的边缘部分的示意图,其中互连件以虚线描绘为透明的。
图5是具有环绕式金属指状物和互连件的太阳能电池的边缘部分的示意图。
图6是具有图5所示的环绕式金属指状物和互连件的太阳能电池的边缘部分的示意图,其中互连件以虚线描绘为透明的。
图7是连接两个太阳能电池的互连件的横截面的示意图。
图8A是具有环绕式金属指状物的太阳能电池的拐角的示意图,其示出了撞击在环绕式金属接触指状物上的涂层材料的团块的位置。
图8B是具有环绕式金属指状物的太阳能电池的拐角的示意图,其示出了由于涂层材料的团块撞击在环绕式p-金属接触指状物上而造成的环绕式金属指状物中的不连续性。
图9A至图9B是具有环绕式金属指状物的太阳能电池的拐角负边缘的示意图,其示出了宽度增加的金属镀层的放置,以避免涂层材料的团块撞击在环绕式金属接触指状物上。
图10A是具有环绕式金属接触指状物并且通过互连件连接的太阳能电池串的示意图。
图10B是具有环绕式金属接触指状物并且通过互连件连接的太阳能电池串的示意图。
图10C是具有环绕式金属接触指状物并且通过互连件和汇流条连接以形成太阳能电池阵列的多个太阳能电池串的示意图。
图11是描绘了用于产生具有环绕式金属的太阳能电池的互连串的示例性流程的框图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于太阳能公司,未经太阳能公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的