[发明专利]固体摄像装置和电子设备在审
申请号: | 201980059245.2 | 申请日: | 2019-09-09 |
公开(公告)号: | CN112740410A | 公开(公告)日: | 2021-04-30 |
发明(设计)人: | 吉田辽人;高塚挙文 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/3745 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 乔焱;曹正建 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 电子设备 | ||
1.一种固体摄像装置,其包括:
受光面;
两个以上像素,其与所述受光面相对,其中,
各所述像素包括:
光电转换部,其对经由所述受光面入射的光进行光电转换,
第一电荷保持部,其保持从所述光电转换部传输的电荷,
第二电荷保持部,其在平面布局中配置在所述第二电荷保持部的全部或一部分与所述第一电荷保持部重叠的位置处,并且形成为与所述第一电荷保持部非导通,
第一传输晶体管,其将所述第一电荷保持部保持的电荷传输至浮动扩散部,和
第二传输晶体管,其将所述第二电荷保持部保持的电荷传输至所述浮动扩散部。
2.根据权利要求1所述的固体摄像装置,其中,
所述第一电荷保持部、所述第二电荷保持部和所述浮动扩散部均包括共同导电类型的杂质半导体区域,并且
所述第一电荷保持部和所述第二电荷保持部各者的杂质浓度低于所述浮动扩散部的杂质浓度。
3.根据权利要求2所述的固体摄像装置,其中,
所述第二传输晶体管包括到达所述第二电荷保持部的垂直栅极。
4.根据权利要求2所述的固体摄像装置,其中
所述第二传输晶体管通过到达所述第二电荷保持部且杂质浓度高于所述第二电荷保持部的所述杂质浓度的杂质半导体区域电连接至所述第二电荷保持部。
5.根据权利要求1所述的固体摄像装置,其中
各所述像素还包括第三传输晶体管,所述第三传输晶体管将累积在所述光电转换部中的电荷传输至所述第一电荷保持部,
所述光电转换部在所述平面布局中配置在与所述第一电荷保持部和所述第二电荷保持部相邻的位置处,并且
就与所述光电转换部的位置关系而言,所述受光面形成在所述第三传输晶体管侧的位置处。
6.根据权利要求5所述的固体摄像装置,其中,各所述像素包括遮光层,所述遮光层配置在所述受光面周围且至少与所述第一电荷保持部相对的位置处。
7.根据权利要求1所述的固体摄像装置,其中,
各所述像素还包括第三传输晶体管,所述第三传输晶体管将累积在所述光电转换部中的电荷传输至所述第一电荷保持部,
所述光电转换部在所述平面布局中配置在所述光电转换部的一部分与所述第一电荷保持部和所述第二电荷保持部重叠的位置处,并且
就与所述光电转换部的位置关系而言,所述受光面形成在所述第三传输晶体管的相反侧的位置处。
8.根据权利要求7所述的固体摄像装置,其中,各所述像素包括位于所述光电转换部和所述第二电荷保持部之间的遮光层。
9.一种电子设备包括:
固体摄像装置,其输出与入射光相对应的图像数据;和
信号处理电路,其处理所述图像数据,
所述固体摄像装置包括:
受光面;
两个以上像素,其与所述受光面相对,其中,
各所述像素包括:
光电转换部,其对经由所述受光面入射的光进行光电转换,
第一电荷保持部,其保持从所述光电转换部传输的电荷,
第二电荷保持部,其在平面布局中配置在所述第二电荷保持部的全部或一部分与所述第一电荷保持部重叠的位置处,并且形成为与所述第一电荷保持部非导通,
第一传输晶体管,其将所述第一电荷保持部保持的电荷传输至浮动扩散部,和
第二传输晶体管,其将所述第二电荷保持部保持的电荷传输至所述浮动扩散部,并且
所述信号处理电路基于第一图像数据和第二图像数据来降低所述第一图像数据包含的噪声,所述第一图像数据是基于所述第一电荷保持部保持的电荷而产生的,所述第二图像数据是基于所述第二电荷保持部保持的电荷而产生的。
10.根据权利要求9所述的电子设备,其中,所述信号处理电路通过从所述第一图像数据中减去第三图像数据来降低所述第一图像数据包含的噪声,所述第三图像数据是通过将所述第二图像数据乘以预定校正系数而获得的。
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