[发明专利]用于晶圆到晶圆键合的台面形成

权利要求书

1.一种方法，包括：

蚀刻半导体材料以形成多个相邻的台面形，所述半导体材料包括一个或更多个外延层；

在所述相邻的台面形之间的间隙内形成钝化层；和

将基底晶圆键合到所述半导体材料的第一表面。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括从所述半导体材料的第二表面移除衬底，其中，所述半导体材料的第二表面与所述半导体材料的第一表面相对；和

图案化每对所述相邻的台面形之间的沟槽以形成多个发光二极管。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括在所述半导体材料的第二表面的对应于所述多个发光二极管中的一个的一部分上形成透镜。

4.根据权利要求2所述的方法，还包括在所述半导体材料的第二表面上形成结构以提高自发辐射率，其中，所述结构对应于所述多个发光二极管中的一个。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述半导体材料上形成第一触点，其中，所述第一触点具有第一极性，并且在形成所述多个相邻的台面形之前或之后形成所述第一触点。

6.根据权利要求5所述的方法，还包括形成第二触点，其中，所述第二触点具有与所述第一触点的第一极性相反的第二极性。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第二触点是分布式触点或大面积触点中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括，在将所述基底晶圆键合到所述半导体材料的第一表面之前：

平坦化所述半导体材料的第一表面和所述钝化层；和

在所述半导体材料的第一表面和所述钝化层上沉积键合层，

其中，所述基底晶圆经由所述键合层键合到所述半导体材料的第一表面。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，通过金属到金属键合将所述基底晶圆键合到所述键合层。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，通过共晶键合将所述基底晶圆键合到所述键合层。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，通过氧化物键合将所述基底晶圆键合到所述键合层。

12.根据权利要求8所述的方法，其中，通过阳极键合、热压键合、紫外线键合或熔融键合中的至少一种来将所述基底晶圆键合到所述键合层。

13.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述相邻的台面形之间的间隙内形成所述钝化层之前，在每个所述相邻的台面形的侧壁上沉积反射层。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体材料依次包括n型层、量子阱层和p型层。

15.根据权利要求1所述的方法，还包括，在将所述基底晶圆键合到所述半导体材料的第一表面之前：

在所述半导体材料的第一表面和所述钝化层上沉积接触层；和

在所述接触层上沉积键合层，

其中，所述基底晶圆经由所述接触层和所述键合层键合到所述半导体材料的第一表面。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述键合层和所述接触层由不同的金属制成。

17.根据权利要求15所述的方法，其中，所述键合层和所述接触层由相同的金属制成。

18.根据权利要求1所述的方法，其中，所述相邻的台面形中的每一个具有非竖直侧壁。

19.根据权利要求1所述的方法，其中，所述相邻的台面形中的每一个具有抛物线形状。