[发明专利]沉积介电材料的方法

权利要求书

1.一种沉积介电材料的方法，包含：

将气体混合物提供到处理腔室中，所述处理腔室中设置有基板；

在远程等离子体源中形成远程等离子体并将所述远程等离子体输送到所述处理腔室中界定的内部处理区域；

以脉冲模式将RF偏压功率施加到所述处理腔室；及

在存在所述气体混合物和所述远程等离子体的情况下，在设置在所述基板上的材料层中界定的开口中形成介电材料。

2.如权利要求1所述的方法，其中在将所述RF偏压功率施加到所述处理腔室之前形成所述远程等离子体。

3.如权利要求1所述的方法，进一步包含：

在施加所述RF偏压功率的同时形成所述远程等离子体。

4.如权利要求1所述的方法，其中形成所述远程等离子体进一步包含：

形成所述远程等离子体达预定的时间段；及

在施加所述RF偏压功率之前终止所述远程等离子体。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述气体混合物包含通过所述处理腔室的一侧供应到所述内部处理区域的第一气体。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述第一气体包括含硅气体。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述气体混合物包含通过所述远程等离子体源供应到所述内部处理区域的第二气体。

8.如权利要求7所述的方法，其中在来自所述气体混合物的所述第二气体存在的情况下，在所述远程等离子体源中形成所述远程等离子体。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述第二气体选自由含氮气体、惰性气体、含碳气体和含氧气体所组成的群组。

10.如权利要求5所述的方法，其中所述第二气体包含Ar、He、NH₃、H₂、N₂及上述气体的组合的至少一种。

11.如权利要求4所述的方法，其中在所述基板上形成的所述介电材料是氮化硅层。

12.如权利要求3所述的方法，其中在所述基板上形成的所述介电材料是碳化硅层。

13.如权利要求1所述的方法，进一步包含：

将基板温度保持在约-20摄氏度至约200摄氏度之间。

14.如权利要求1所述的方法，其中所述RF偏压功率以在约210微秒和约100毫秒之间的持续时间以所述脉冲模式施加。

15.如权利要求1所述的方法，其中所述RF偏压功率具有约2MHz的RF频率。