[发明专利]相移掩模坯料、相移掩模、曝光方法以及器件制造方法

说明书

一种相移掩模坯料，其是具有基板及形成于上述基板上的相移层的相移掩模坯料，上述相移层含有铬及氧，上述相移层的表面的算术平均高度的值为0.38nm以上。

技术领域

本发明涉及一种相移掩模坯料、相移掩模、曝光方法以及器件制造方法。

背景技术

已知有在透明基板上形成由氮氧化铬构成的相移层的相移掩模(专利文献1)。一直以来期望提高相移掩模的质量。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2011-013283号公报

发明内容

根据本发明的第1方式，相移掩模坯料是具有基板及形成于上述基板上的相移层的相移掩模坯料，上述相移层含有铬及氧，上述相移层的表面的算术平均高度的值为0.38nm以上。

根据本发明的第2方式，相移掩模坯料是具有基板及形成于上述基板上的相移层的相移掩模坯料，上述相移层含有铬及氧，上述相移层的表面的算术平均高度的值比上述基板的表面的算术平均高度的值大0.04nm以上。

根据本发明的第3方式，相移掩模是将第1或第2方式的相移掩模坯料的上述相移层形成为规定的图案状的相移掩模。

根据本发明的第4方式，曝光方法中，隔着第3方式的相移掩模对涂布有光致抗蚀剂的感光性基板进行曝光。

根据本发明的第5方式，器件的制造方法具有：曝光工序，利用第4方式的曝光方法对上述感光性基板进行曝光；及显影工序，对上述曝光后的感光性基板进行显影。

附图说明

图1是示出实施方式的相移掩模坯料的构成例的图。

图2是示出为了制造相移掩模坯料而使用的制造装置的一例的示意图。

图3是示出实施例及比较例的相移掩模坯料的测定结果的表。

图4是对使用实施例的相移掩模坯料形成的掩模图案的剖面进行说明的示意图。

图5是示出隔着相移掩模对感光性基板进行曝光的情况的概念图。

图6是示出比较例的相移掩模坯料的构成例的图。

图7是对使用比较例的相移掩模坯料形成的掩模图案的剖面进行说明的示意图。

具体实施方式

(实施方式)

图1是示出本实施方式的相移掩模坯料10的构成例的图。相移掩模坯料10具备基板11与相移层12。本实施方式中，通过溅射在基板11的表面形成相移层12。此时，根据溅射的条件设定相移层12中的含氧量(氧原子数浓度)，由此，如图1所示，在相移层12的表面形成规定程度(规定的算术平均高度)的微细的凹凸(凹凸部12a)。

以下进一步详细地对本实施方式的相移掩模坯料10说明。

作为基板11的材料，例如使用合成石英玻璃。需要说明的是，基板11的材料并不限定于合成石英玻璃。相移掩模在制造FPD(Flat Panel Display，平板显示器)等显示用器件或LSI(Large Scale Integration，大规模集成电路)等半导体器件时使用。基板11只要在使用相移掩模对晶片等曝光对象基材进行曝光的曝光工序中使曝光光充分地透过即可。

相移层12作为由包含铬(Cr)及氧(O)的材料得到的膜形成于基板11的表面。本实施方式的相移层12由以CrOCN作为材料的膜构成。在相移层12中形成期望的图案，成为相移掩模。该图案作为在曝光工序中使所照射的曝光光的相位局部地发生变化的移相器发挥作用。