[发明专利]真空处理装置和基板输送方法

说明书

针对在真空气氛下对基板进行处理的真空处理装置，防止装置的占用空间的增加。在利用处理模块使基板以俯视时左右并列的方式配置而进行成批处理从而谋求高生产率化时，对于加载互锁模块，也与处理模块同样地，构成为使基板以俯视时左右并列的方式配置。并且，将常压输送室设置为从该加载互锁模块的左右的一侧起在加载互锁模块的下方侧延伸而跨到左右的另一侧，使常压输送室的基板的输送区域与加载互锁模块上下重叠。进而能够利用常压输送机构在加载互锁模块的左右进行晶圆(W)相对于送入送出端口的承载件的交接。

技术领域

本公开涉及一种真空处理装置和输送基板的技术。

背景技术

进行半导体器件的制造工序中的真空处理的真空处理装置具备切换常压气氛和真空气氛的加载互锁模块，将收纳于输送容器而进行输送的半导体晶圆(以下称为“晶圆”。)经由常压输送室向加载互锁模块输送。并且，在将加载互锁模块内从常压气氛切换成真空气氛之后，经由真空输送室向例如多个真空处理部分别输送晶圆。

在例如专利文献1中记载有如下结构：在具备对水平排列的两张晶圆W进行处理的处理模块的真空处理装置中，在切换常压气氛和真空气氛的加载互锁模块，左右并列地配置有两张基板。对于该真空处理装置，构成为能够利用输送臂在加载互锁模块与处理模块之间一次交接两张晶圆。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-171872号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开是在这样的状况下做成的，针对在真空气氛下对基板进行处理的真空处理装置，提供一种防止装置的占用空间的增加的技术。

用于解决问题的方案

本公开的真空处理装置具备：加载互锁模块，其具备：壳体，其内部在常压气氛和真空气氛切换自如，该壳体具备分别形成于左右的开闭自如的第1基板输送口和形成于后侧的开闭自如的第2基板输送口；和多个基板保持部，其在所述壳体内分别将基板保持于左右；

真空气氛的真空输送室，其与所述壳体的后侧连接，所述第2基板输送口在该真空输送室开口；

处理模块，其与所述真空输送室连接，用于对所述基板进行真空处理；

真空输送机构，其在所述加载互锁模块、所述输送室以及所述处理模块之间输送所述基板；

常压气氛的常压输送室，其以各所述第1基板输送口在该常压输送室开口的方式跨所述壳体的上方或下方而从该壳体的左右的一侧形成到另一侧，该常压输送室具备与该壳体重叠的作为所述基板的输送区域的层叠输送区域；

多个送入送出端口，其分别设于所述常压输送室的外侧的左右，用于送入送出供所述基板收纳的输送容器；以及

常压输送机构，其在被送入到各所述送入送出端口的所述输送容器与各所述基板保持部之间经由所述层叠输送区域输送所述基板。

发明的效果

根据本公开，能够针对在真空气氛下对基板进行处理的真空处理装置，防止装置的占用空间的增加。

附图说明

图1是表示第1实施方式的真空处理装置的俯视图。

图2是常压输送室的一部分的俯视图。

图3是常压输送室的纵剖视图。

图4是加载互锁模块的俯视图。