[发明专利]用于清洁和表面处理的原子氧和臭氧装置

权利要求书

1.一种原子氧清洁腔室，包括：

腔室主体；

腔室盖；

由所述腔室主体和所述腔室盖界定的处理容积；

紫外线(UV)辐射产生器，包括一个或多个UV辐射源；

设置在所述处理容积中的基座，所述基座具有与从所述UV辐射产生器到所述基座的上表面的距离相对应的处理位置；以及

气体分配组件，所述气体分配组件是可操作的以将在所述基座的所述上表面的上方分布臭氧。

2.根据权利要求1所述的腔室，其中，所述气体分配组件包括：

在所述腔室盖中形成的气室，所述气室经构造以连接到臭氧产生器；以及

喷淋头，耦接到所述气室，所述喷淋头具有多个通道，以在所述基座的所述上表面的上方分布臭氧。

3.根据权利要求1所述的腔室，其中，所述气体分配组件包括：

在所述腔室主体中形成的气体入口，所述气体入口具有：

歧管，所述歧管经构造以连接到臭氧产生器；以及

流导，所述流导具有多个通道，以在所述基座的所述上表面的上方分布臭氧。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的腔室，其中，所述一个或多个UV辐射源经构造以释放约240纳米(nm)至约310nm波长的辐射。

5.一种系统，包括：

耦接至传输腔室的一个或多个服务腔室和一个或多个原子氧清洁腔室；以及

容纳在所述传输腔室中的机器人，所述机器人用于在所述一个或多个服务腔室与所述一个或多个原子氧清洁腔室之间传输基板，所述一个或多个原子氧清洁腔室中的每一者包括：

腔室主体；

腔室盖；

由所述腔室主体和所述腔室盖界定的处理容积；

紫外线(UV)辐射产生器，包括一个或多个UV辐射源；

设置在所述处理容积中的基座，所述基座具有与从所述UV辐射产生器到所述基座的上表面的距离相对应的处理位置；以及

气体分配组件，所述气体分配组件是可操作的以在所述基座的所述上表面的上方分布臭氧。

6.根据权利要求5所述的系统，其中，所述气体分配组件包括：

在所述腔室盖中形成的气室，所述气室经构造以连接到臭氧产生器；以及

喷淋头，耦接到所述气室，所述喷淋头具有多个通道，以在所述基座的所述上表面的上方分布臭氧。

7.根据权利要求5所述的系统，其中，所述气体分配组件包括：

在所述腔室主体中形成的气体入口，所述气体入口具有：

歧管，所述歧管经构造以连接到臭氧产生器；以及

流导，所述流导具有多个通道，以在所述基座的所述上表面的上方分布臭氧。

8.根据权利要求5-7任一项所述的系统，其中，所述一个或多个UV辐射源经构造以释放约240纳米(nm)至约310nm波长的辐射。

9.一种原子氧清洁基板的方法，包括以下步骤：

将具有一个或多个表面的基板定位在基座的上表面上，所述基座设置在原子氧清洁腔室的处理容积中，其中所述基座的所述上表面与所述原子氧清洁腔室的紫外线(UV)辐射产生器相距一定距离，所述一个或多个表面中的第一表面朝向所述UV辐射产生器定向；

使臭氧流入所述处理容积并在所述基板的所述第一表面的上方分布臭氧；以及

从所述UV产生器朝向臭氧释放约240纳米(nm)至约310nm的波长的辐射。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，臭氧流跨越设置在所述原子氧清洁腔室的腔室主体中的气体入口的歧管分布、流过所述气体入口的流导的多个通道、并且分布在所述处理容积中的所述基板的所述第一表面的上方。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，臭氧流跨越设置在所述原子氧清洁腔室的腔室盖中的气室分布、流过与所述气室耦接的喷淋头的多个通道、并且分布在所述处理容积中的所述基板的所述第一表面的上方。