[发明专利]用于制造发光元件的方法和包括发光元件的显示装置

权利要求书

1.一种制造发光元件的方法，所述方法包括：

提供形成在基底上的半导体结构；

测量从所述半导体结构发射的具有彼此不同的波段的光，以限定波长区域；以及

在所述半导体结构上形成具有彼此不同的直径且彼此间隔开的纳米图案，并且蚀刻所述半导体结构以形成元件棒。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述波长区域包括：

第一波长区域，从所述第一波长区域发射具有第一波段的第一光；

第二波长区域，从所述第二波长区域发射具有比所述第一波段短的第二波段的第二光；以及

第三波长区域，从所述第三波长区域发射具有比所述第二波段短的第三波段的第三光。

3.根据权利要求2所述的方法，

其中，在形成所述纳米图案的步骤中，随着从所述波长区域发射的光的波段减小，在所述波长区域上形成具有增大的直径的所述纳米图案。

4.根据权利要求3所述的方法，

其中，所述纳米图案包括第一纳米图案、第二纳米图案和第三纳米图案，所述第二纳米图案具有比所述第一纳米图案的直径大的直径，所述第三纳米图案具有比所述第二纳米图案的直径大的直径，并且

所述第一纳米图案形成在所述第一波长区域上，所述第二纳米图案形成在所述第二波长区域上，并且所述第三纳米图案形成在所述第三波长区域上。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述元件棒包括：

第一元件棒，形成在与所述第一波长区域叠置的区域中；

第二元件棒，形成在与所述第二波长区域叠置的区域中；以及

第三元件棒，形成在与所述第三波长区域叠置的区域中。

6.根据权利要求5所述的方法，

其中，所述第二元件棒在直径上比所述第一元件棒大但在直径上比所述第三元件棒小，并且

所述第一元件棒、所述第二元件棒和所述第三元件棒发射基本相同的波段的光。

7.根据权利要求4所述的方法，

其中，所述第三波长区域设置在所述半导体结构的中心处，所述第二波长区域设置为围绕所述第三波长区域的外表面，并且

所述第一波长区域设置为围绕所述第二波长区域的外表面。

8.根据权利要求7所述的方法，

其中，所述半导体结构包括穿过所述半导体结构的所述中心的第一轴，

所述纳米图案的所述直径从所述第一轴的一端朝向所述半导体结构的所述中心增大，并且

所述纳米图案的所述直径从所述半导体结构的所述中心朝向所述第一轴的另一端减小。

9.根据权利要求4所述的方法，

其中，所述半导体结构包括穿过所述半导体结构的中心的第二轴，

所述第一波长区域设置在所述第二轴的一端处，

所述第二波长区域部分地围绕所述第一波长区域的外表面并沿所述第二轴的另一端的方向延伸，并且

所述第三波长区域部分地围绕所述第二波长区域的外表面并延伸到所述第二轴的所述另一端。

10.根据权利要求9所述的方法，

其中，沿着所述第二轴设置的所述至少一个纳米图案的所述直径从所述第二轴的所述一端朝向所述第二轴的所述另一端增大。

11.一种制造发光元件的方法，所述方法包括：

提供基底和半导体结构，所述半导体结构设置在所述基底上并且包括第一导电半导体层、活性材料层和第二导电半导体层；

形成蚀刻掩模层以及包括一个或更多个纳米图案的蚀刻图案层，所述蚀刻掩模层形成在所述半导体结构上，所述一个或更多个纳米图案形成在所述蚀刻掩模层上，具有彼此不同的直径，并且彼此间隔开；

沿着所述纳米图案彼此间隔开处的区域在与所述基底垂直的方向上蚀刻所述半导体结构，以形成元件棒；以及

使所述元件棒与所述基底分离，以形成发光元件。