[发明专利]半导体元件的制造方法及半导体基板

说明书

本发明提供一种形成于基底基板上的半导体薄膜不易意外地剥离的半导体元件的制造方法及半导体基板。半导体元件的制造方法包括：结合层形成工序，在第一基板的一部分的结合层区域，形成以较共价键更弱的力结合半导体薄膜的结合层；薄膜形成工序，在结合层区域及结合层区域以外的非结合层区域形成半导体薄膜；分离工序，通过将与第一基板不同的拾取基板所具有的有机物层结合于半导体薄膜，从而从第一基分离半导体薄膜；附着物除去工序，将从第一基板分离后的半导体薄膜的剥离面所附着的结合层除去；以及接合工序，将除去结合层后的半导体薄膜接合于与第一基板不同的第二基板。

技术领域

本发明涉及一种半导体元件的制造方法及半导体基板。

背景技术

以往，已知下述技术，即：将半导体磊晶层从母材基板取下，使所取下的半导体磊晶层移动至其他基板。专利文献1中公开了下述方法，即：在形成于基底基板的石墨烯层上形成氮化物半导体层后，使氮化物半导体层从基底基板剥离。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第5070247号公报

发明内容

发明所要解决的问题

现有技术中，氮化物半导体薄膜经由石墨烯层通过例如范德华力(Van Der Waalsforce)的弱的力而接合于基底基板。因此，若伴随氮化物半导体薄膜的膜厚变厚等变化而氮化物半导体薄膜的膜应力变大，则有时在使半导体薄膜于SiC基板上结晶成长的期间中，氮化物半导体薄膜从基底基板意外地剥离。而且，有时在加工氮化物半导体薄膜层而进行元件形成或元件分离等加工的工序中，氮化物半导体薄膜也从基底基板意外地剥离。

因此，本发明是鉴于这些方面而成，其目的在于提供一种形成于基底基板上的半导体薄膜不易意外地剥离、半导体元件的制造方法及半导体基板。

解决问题的技术手段

本发明的第一实施例的半导体元件的制造方法包括：结合层形成工序，在第一基板的一部分的结合层区域，形成以较共价键更弱的力结合半导体薄膜的结合层；薄膜形成工序，在所述结合层区域及所述结合层区域以外的非结合层区域形成所述半导体薄膜；分离工序，通过将与所述第一基板不同的分离用基板所具有的有机物层结合于所述半导体薄膜，从而从所述第一基板分离所述半导体薄膜；附着物除去工序，将从所述第一基板分离后的所述半导体薄膜的剥离面所附着的所述结合层除去；以及接合工序，将除去所述结合层后的所述半导体薄膜接合于与所述第一基板不同的第二基板。

也可在所述结合层形成工序中，以所述结合层区域的面积大于所述非结合层区域的面积的方式形成所述结合层。

也可在所述分离工序前，还包括：薄膜除去工序，将所述半导体薄膜的一部分除去；以及固定层形成工序，形成从所述半导体薄膜延伸至所述半导体薄膜经除去的区域的固定层。也可在所述薄膜除去工序中，将形成于所述非结合层区域的所述半导体薄膜除去。

所述结合层形成工序也可含有：在所述结合层区域及所述非结合层区域形成所述结合层的工序；以及在形成所述结合层后，将形成于所述非结合层区域的所述结合层除去的工序，且在所述固定层形成工序中，形成从所述半导体薄膜延伸至所述非结合层区域的所述固定层。

半导体元件的制造方法也可在所述薄膜形成工序与所述固定层形成工序之间，还包括：通过在形成于所述结合层上的所述半导体薄膜形成槽，从而将所述半导体薄膜分割为多个岛的工序，且在所述结合层形成工序中，将形成有所述槽的区域的至少一部分区域所含的所述结合层除去。

也可在所述分离工序中，通过使所述分离用基板向远离所述第一基板的方向移动，从而将所述固定层切断。

也可在所述结合层形成工序中，形成含有碳原子的材料露出的所述结合层。