[发明专利]层叠体、半导体装置及层叠体的制造方法

权利要求书

1.一种层叠体，其特征在于，该层叠体具有：

晶体衬底；

形成在该晶体衬底的主表面上且混合存在有以第一金属氧化物作为主成分的由刚玉型结构构成的结晶相的结晶区与非晶相的非晶区的中间层；及

形成在该中间层上的以第二金属氧化物作为主成分的刚玉型结构的晶体层。

2.根据权利要求1所述的层叠体，其特征在于，所述结晶区为始于所述晶体衬底的晶面的外延生长层。

3.根据权利要求1或2所述的层叠体，其特征在于，在所述中间层的与所述晶体衬底的所述主表面垂直的任意截面中，所述中间层中含有的所述结晶区的比例为1％以上。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的层叠体，其特征在于，在所述中间层的与所述晶体衬底的所述主表面垂直的任意截面中，所述中间层中含有的所述结晶区的比例为4％以上25％以下。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的层叠体，其特征在于，所述中间层的膜厚为1nm以上。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的层叠体，其特征在于，所述中间层的膜厚为10nm以上。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的层叠体，其特征在于，所述第一金属氧化物以含有铝、钛、钒、铬、铁、镓、铑、铟、铱中的任意一种的氧化物作为主成分。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的层叠体，其特征在于，所述第二金属氧化物以含有铝、钛、钒、铬、铁、镓、铑、铟、铱中的任意一种的氧化物作为主成分。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的层叠体，其特征在于，所述中间层进一步含有硅。

10.根据权利要求9所述的层叠体，其特征在于，所述中间层中含有的所述硅的浓度为0.5at％以上。

11.根据权利要求9或10所述的层叠体，其特征在于，所述中间层中含有的所述硅的浓度为1at％以上10at％以下。

12.根据权利要求1～11中任一项所述的层叠体，其特征在于，在所述晶体衬底与所述中间层之间进一步具备应力缓和层。

13.一种半导体装置，其至少包含半导体层与电极，所述半导体装置的特征在于，具备权利要求1～12中任一项所述的层叠体的至少一部分作为所述半导体层。

14.一种层叠体的制造方法，其特征在于，包含以下步骤：

形成混合有雾化的第一金属氧化物前驱体、载气、及硅的第一混合气体的步骤；

将所述第一混合气体供给于经加热的晶体衬底上，形成混合存在有以第一金属氧化物作为主成分的由刚玉型结构构成的结晶相的结晶区与非晶相的非晶区的中间层的步骤；

形成混合有雾化的第二金属氧化物前驱体与载气的第二混合气体的步骤；及

将所述第二混合气体供给于经加热的所述晶体衬底上，在所述中间层上形成以第二金属氧化物作为主成分的刚玉型结构的晶体层的步骤。

15.根据权利要求14所述的层叠体的制造方法，其特征在于，在形成所述第一混合气体的步骤中，在将所述雾化的第一金属氧化物前驱体与所述载气输送至所述晶体衬底上的中途，进行所述硅的添加。

16.根据权利要求15所述的层叠体的制造方法，其特征在于，使所述雾化的第一金属氧化物前驱体与所述载气通过有机硅树脂制的管而进行输送，由此进行所述硅的添加。

17.根据权利要求14～16中任一项所述的层叠体的制造方法，其特征在于，在形成所述中间层的步骤中，改变所述第一混合气体的供给量。