[发明专利]用于掩埋缺陷的特性化的系统及方法有效
申请号: | 201980060612.0 | 申请日: | 2019-09-18 |
公开(公告)号: | CN112703589B | 公开(公告)日: | 2022-09-06 |
发明(设计)人: | J·柯克伍德;J·劳贝尔 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘丽楠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 掩埋 缺陷 特性 系统 方法 | ||
1.一种检验系统,其包括:
检验子系统,其中所述检验子系统包含一或多个检测通道,所述一或多个检测通道经配置以沿着一或多个散射角从样本获取一或多个图块图像;及
控制器,其通信地耦合到所述检验子系统,所述控制器包含一或多个处理器及存储器,其中所述一或多个处理器经配置以执行存储于所述存储器中的程序指令集,所述程序指令集经配置以使所述一或多个处理器:
从所述检验子系统接收控制样本的一或多个训练缺陷的一或多个控制图块图像,所述控制样本包括半导体衬底或VNAND堆叠中的至少一者;
基于从所述一或多个训练缺陷获取的所述一或多个控制图块图像及与所述一或多个训练缺陷相关联的一或多个已知参数训练缺陷分类器;
指导所述检验子系统识别额外样本的一或多个缺陷;
从所述检验子系统接收所述额外样本的所述一或多个经识别缺陷的一或多个图块图像;及
应用所述缺陷分类器到所述额外样本的所述一或多个经识别缺陷的所述一或多个图块图像以确定所述额外样本的所述一或多个经识别缺陷的一或多个参数,其中所述一或多个参数包括缺陷大小及缺陷深度中的至少一者。
2.根据权利要求1所述的检验系统,其进一步包括一或多个处理工具,其中所述一或多个处理器经进一步配置以调整所述一或多个处理工具的一或多个特性。
3.根据权利要求2所述的检验系统,其中所述一或多个处理工具包含光刻工具及抛光工具中的至少一者。
4.根据权利要求1所述的检验系统,其中所述检验子系统包括经配置以沿着第一散射方向获取一或多个图块图像的第一检测通道、经配置以沿着第二散射方向获取一或多个图块图像的第二检测通道及经配置以沿着至少一第三散射方向获取一或多个图块图像的至少一第三检测通道。
5.根据权利要求4所述的检验系统,其中所述一或多个处理器经进一步配置以调整所述第一检测通道、所述第二检测通道及所述至少第三检测通道中的至少一者的聚焦。
6.根据权利要求1所述的检验系统,其中所述缺陷分类器包括卷积神经网络CNN。
7.根据权利要求1所述的检验系统,其中所述额外样本包括半导体衬底及VNAND堆叠中的至少一者。
8.根据权利要求1所述的检验系统,其中所述一或多个处理器经进一步配置以将所述额外样本的所述一或多个经识别缺陷的所述一或多个图块图像组合为RGB图像。
9.根据权利要求1所述的检验系统,其中所述一或多个处理器经进一步配置以将所述控制样本的所述一或多个训练缺陷分类为一或多个缺陷类别。
10.一种检验系统,其包括:
控制器,其通信地耦合到检验子系统,所述控制器包含一或多个处理器及存储器,其中所述一或多个处理器经配置以执行存储于所述存储器中的程序指令集,所述程序指令集经配置以使所述一或多个处理器:
从所述检验子系统接收控制样本的一或多个训练缺陷的一或多个控制图块图像,所述控制样本包括半导体衬底或VNAND堆叠中的至少一者;
基于从所述一或多个训练缺陷获取的所述一或多个控制图块图像及与所述一或多个训练缺陷相关联的一或多个已知参数训练缺陷分类器;
指导所述检验子系统识别额外样本的一或多个缺陷;
从所述检验子系统接收所述额外样本的所述一或多个经识别缺陷的一或多个图块图像;及
应用所述缺陷分类器到所述额外样本的所述一或多个经识别缺陷的所述一或多个图块图像以确定所述额外样本的所述一或多个经识别缺陷的一或多个参数,其中所述一或多个参数包括缺陷大小及缺陷深度中的至少一者。
11.根据权利要求10所述的检验系统,其进一步包括一或多个处理工具,其中所述一或多个处理器经进一步配置以调整所述一或多个处理工具的一或多个特性。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于科磊股份有限公司,未经科磊股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980060612.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造