[发明专利]发射辐射的器件

说明书

提出一种发射辐射的器件，具有：第一半导体芯片(1)，所述第一半导体芯片在运行中发射蓝光(51)；第二半导体芯片(2)，所述第二半导体芯片在运行中发射青色光(52)；和转换元件(3)，所述转换元件在运行中发射次级辐射(53)，其中转换元件(3)设置在第一半导体芯片(1)和第二半导体芯片(2)下游，其中转换元件(3)在用第一半导体芯片(1)的蓝光(51)激发下发射次级辐射(53)，并且其中次级辐射(53)与蓝光(51)混合成暖白光(54)。

技术领域

提出一种发射辐射的器件。

发明内容

要实现的目的在于，提出一种发射辐射的器件，所述器件可特别灵活地使用。

发射辐射的器件在运行中发射电磁辐射，尤其光。发射辐射的器件优选可以设为用于，在运行中产生白光。发射辐射的器件例如可以作为发光机构在灯具中使用。此外可行的是，发射辐射的器件本身形成灯具。

根据发射辐射的器件的至少一个实施方式，发射辐射的器件包括第一半导体芯片，其在运行中发射蓝光。第一半导体芯片例如是发射冷辐射二极管芯片(Lumineszenzdiodenchip)，如激光二极管芯片或发光二极管芯片。第一半导体芯片在运行中产生蓝光，优选直接在半导体本体的有源区域中产生。也就是说，第一半导体芯片在运行中在不使用发光材料的条件下产生蓝光。由此可行的是，发射具有特别小的光谱半值宽度的蓝光。蓝光在此具有峰值波长，在所述峰值波长下蓝光的强度最大。例如，蓝光的峰值波长位于至少450nm和最高478nm之间。

根据发射辐射的器件的至少一个实施方式，发射辐射的器件包括第二半导体芯片，其在运行中发射青色光。第二半导体芯片例如是发射冷辐射二极管芯片，如激光二极管芯片或发光二极管芯片。第二半导体芯片在运行中优选直接在半导体本体的有源区域中产生青色光。也就是说，第二半导体芯片在运行中在不使用发光材料的条件下产生青色光。由此可行的是，发射具有特别小的光谱半值宽度的青色光。青色光在此具有峰值波长，在所述峰值波长下青色光的强度最大。例如，青色光的峰值波长位于至少480nm和最高490nm之间。

根据发射辐射的器件的至少一个实施方式，器件包括转换元件，所述转换元件在运行中发射次级辐射。转换元件包括至少一种发光材料或由至少一种发光材料构成。转换元件由初级辐射激发并且发射次级辐射，所述次级辐射优选比初级辐射具有更低能量。

根据发射辐射的器件的至少一个实施方式，转换元件设置在第一半导体芯片下游。也就是说，转换元件例如沿蓝光的放射方向跟随第一半导体芯片，使得第一半导体芯片的蓝光至少部分地射入到转换元件中。在此，例如可行的是，第一半导体芯片嵌入到转换元件中或转换元件在第一半导体芯片下游直接地或间隔开地设置在半导体芯片的辐射出射面上。

根据发射辐射的器件的至少一个实施方式，转换元件在用第一半导体芯片的蓝光激发下发射次级辐射。也就是说，转换元件的至少一种发光材料设立用于，将蓝光至少部分地吸收并且再次发射低能量的次级辐射。例如，第一半导体芯片和转换元件彼此协调，使得蓝光的峰值波长处于转换元件的至少一种发光材料的最大吸收的区域中。

根据发射辐射的器件的至少一个实施方式，转换元件的次级辐射与蓝光混合成暖白光。也就是说，转换元件设为用于，在用蓝光激发下放射暖白光。用于相应的转换元件的发光材料例如在出版物WO 2011/020751A1、WO 2011/020756A1和WO 2013/056895A1中描述。这些出版物的公开内容明确地通过参引结合于此。

根据发射辐射的器件的至少一个实施方式，器件包括：第一半导体芯片，其在运行中发射蓝光；第二半导体芯片，其在运行中发射青色光；转换元件，其在运行中发射次级辐射。在此，转换元件设置在第一半导体芯片下游，转换元件在用第一半导体芯片的蓝光激发下发射次级辐射，并且次级辐射与蓝光混合成暖白光。