[发明专利]具有巴伦变压器的RF功率放大器在审
申请号: | 201980060849.9 | 申请日: | 2019-09-18 |
公开(公告)号: | CN112840417A | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
发明(设计)人: | B·G·M·范阿尔克 | 申请(专利权)人: | 浦卓科技有限公司 |
主分类号: | H01F19/06 | 分类号: | H01F19/06;H01F27/04;H01F27/28;H01F19/04 |
代理公司: | 北京市汉坤律师事务所 11602 | 代理人: | 魏小薇;吴丽丽 |
地址: | 荷兰*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 变压器 rf 功率放大器 | ||
1.一种射频功率放大器(60,72),包括第一巴伦变压器(10,20,30,50)和多个功率晶体管对(61,62),所述多个功率晶体管对中的每一个功率晶体管对以推挽式配置方式布置,
其中,所述第一巴伦变压器包括不平衡线圈(14,34,54)和平衡线圈(11,31),所述不平衡线圈在第一单端信号端子(142)与第一参考端口(141)之间延伸,并且所述平衡线圈在第一平衡信号端子(111)与第二平衡信号端子(112)之间延伸,
其中,所述不平衡线圈和所述平衡线圈彼此电感耦合并且电隔离,
其中,所述第一巴伦变压器进一步包括与所述不平衡线圈和所述平衡线圈电隔离的至少一个辅助线圈(12,32),
其中,所述至少一个辅助线圈(12,32)电感耦合到所述不平衡线圈(14,34,54)并且在第三平衡信号端子(121)与第四平衡信号端子(122)之间延伸,以形成平衡合成器,
其中,所述多个功率晶体管对(61,62)中的第一功率晶体管对的输出耦合到所述第一平衡信号端子和所述第二平衡信号端子(111,112),并且其中,所述多个功率晶体管对(61,62)中的第二功率晶体管对的输出耦合到所述第三平衡信号端子和所述第四平衡信号端子(121,122)。
2.根据权利要求1所述的射频功率放大器,其中,所述平衡线圈、所述不平衡线圈和所述辅助线圈布置在多个间隔开的平行平面(101,102,103)中。
3.根据权利要求2所述的射频功率放大器,其中,所述辅助线圈与所述平衡线圈布置在所述多个间隔开的平行平面中的同一平面(101)中。
4.根据权利要求2或3所述的射频功率放大器,其中,所述多个间隔开的平行平面形成印刷电路板的层(A,C,E)。
5.根据权利要求4所述的射频功率放大器,其中,所述平衡线圈、所述不平衡线圈和所述辅助线圈由所述印刷电路板的所述层(A,C,E)中的导电迹线形成。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的射频功率放大器,其中,所述第一平衡信号端子和所述第二平衡信号端子从第三参考端口(115)电对称地延伸。
7.根据权利要求6所述的射频功率放大器,其中,所述第三平衡信号端子和所述第四平衡信号端子从第四参考端口(125)电对称地延伸。
8.根据前述权利要求中任一项所述的射频功率放大器,其中,所述不平衡线圈形成包括彼此电连接的第一瓣(143)和第二瓣(144)的8字形线圈,其中,所述第一瓣电感耦合到所述平衡线圈(11)并且所述第二瓣电感耦合到所述辅助线圈(12)。
9.根据权利要求8所述的射频功率放大器,其中,所述第一瓣和所述第二瓣通过布置在不同的间隔开的平行平面中的平行导体(145,146)导电连接。
10.根据权利要求8或9所述的射频功率放大器,其中,所述8字形线圈的所述第一瓣和所述第二瓣电连接成使得电流在所述第一瓣和所述第二瓣中在相反方向上流动。
11.根据前述权利要求中任一项所述的射频功率放大器,其中,所述平衡线圈(11)和所述辅助线圈(12)布置在同一平面中,并且其中,屏蔽导体(131)在所述平衡线圈(11)与所述辅助线圈(12)之间延伸。
12.根据前述权利要求中任一项所述的射频功率放大器,包括第一电容器(64)、第二电容器(66)和第三电容器(65),其中,所述第一电容器(64)连接到所述平衡线圈(11)以形成第一并联谐振回路电路,其中,所述第二电容器连接到所述不平衡线圈(14)以形成第二并联谐振回路电路,并且其中,所述第三电容器连接到所述辅助线圈(12)以形成第三并联谐振回路电路。
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