[发明专利]树脂膜及其制造方法有效
申请号: | 201980060968.4 | 申请日: | 2019-08-30 |
公开(公告)号: | CN112739753B | 公开(公告)日: | 2023-09-12 |
发明(设计)人: | 岩谷忠彦;阿部悠;坪仓翔;原田佳南 | 申请(专利权)人: | 东丽株式会社 |
主分类号: | C08J5/18 | 分类号: | C08J5/18;B32B3/14;B32B7/025;C08J7/044 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 树脂 及其 制造 方法 | ||
1.树脂膜,其至少一个表面具有由AFM(Atomic Force Microscope(原子力显微镜))的导电测定模式(导电性AFM)测得的绝缘相(A)和导电相(B),将所述具有绝缘相(A)和导电相(B)的表面设为表面α时,绝缘相(A)在所述表面α中所占的面积为40%以上且80%以下,所述表面α的表面电阻率为1.0×1010Ω/□以下,所述绝缘相(A)含有氧化物粒子(a),所述氧化物粒子(a)包含选自由Si、Al、Ti、Zr、Se、Fe组成的组中的至少一种元素,所述树脂膜中含有导电性化合物(b)作为导电相(B)的成分。
2.如权利要求1所述的树脂膜,其中,所述表面α中的绝缘相(A)的平均区域直径为50nm以上且200nm以下。
3.如权利要求1或2所述的树脂膜,其中,所述表面α中的所述绝缘相(A)的导电性IA与所述导电相(B)的导电性IB之比IA/IB为100以上且100000以下。
4.如权利要求1或2所述的树脂膜,其中,所述表面α的摩擦处理前后的雾度变化为3.0%以下。
5.如权利要求1或2所述的树脂膜,其中,所述表面α中的、绝缘相(A)的弹性模量(GA)为2000MPa以上且50000MPa以下。
6.如权利要求1或2所述的树脂膜,其中,所述表面α中的、绝缘相(A)的弹性模量(GA)与导电相(B)的弹性模量(GB)之比GA/GB为4以上且20以下。
7.如权利要求1或2所述的树脂膜,其为包含支承基材和在该支承基材表面所形成的层(X)在内的2层以上的层叠体。
8.如权利要求1或2所述的树脂膜,其中,所述导电相(B)含有聚噻吩系导电性化合物(b)和交联剂(c),所述交联剂(c)为选自环氧树脂、三聚氰胺树脂、噁唑啉化合物、碳二亚胺化合物、异氰酸酯化合物中的至少一种。
9.权利要求1至8中任一项所述的树脂膜的制造方法,其包括在结晶取向完成之前的聚酯膜的至少一面涂布涂料组合物(x)后、沿至少一个方向实施拉伸处理及热处理的工序,
所述涂料组合物(x)含有氧化物粒子(a)、导电性化合物(b)、交联剂(c),所述交联剂(c)为选自环氧树脂、三聚氰胺树脂、噁唑啉化合物、碳二亚胺化合物、异氰酸酯化合物中的至少一种。
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