[发明专利]立方氮化硼烧结体的制造方法、立方氮化硼烧结体和包括该立方氮化硼烧结体的切削工具

权利要求书

1.一种制造立方氮化硼烧结体的方法，该方法包括：

通过将有机物附着至立方氮化硼原料粉末，从而形成有机立方氮化硼粉末；

通过混合所述有机立方氮化硼粉末和包含WC、Co和Al的结合剂原料粉末从而制备粉末混合物，所述粉末混合物包含大于等于85体积％且小于100体积％的所述有机立方氮化硼粉末和余量的结合剂原料粉末；以及

通过烧结所述粉末混合物从而得到所述立方氮化硼烧结体，

其中，所述形成有机立方氮化硼粉末包括将所述立方氮化硼原料粉末和所述有机物引入超临界水中。

2.根据权利要求1所述的制造立方氮化硼烧结体的方法，其中，所述有机物是胺或碳原子数为5以上的烃化合物。

3.根据权利要求2所述的制造立方氮化硼烧结体的方法，其中，所述有机物为己胺、己腈、石蜡或己烷。

4.一种制造立方氮化硼烧结体的方法，该方法包括：

通过将有机物附着至立方氮化硼原料粉末，从而形成有机立方氮化硼粉末；

通过混合所述有机立方氮化硼粉末和包含WC、Co和Al的结合剂原料粉末从而制备粉末混合物，所述粉末混合物包含大于等于85体积％且小于100体积％的所述有机立方氮化硼粉末和余量的结合剂原料粉末；以及

通过烧结所述粉末混合物从而得到所述立方氮化硼烧结体，

其中，所述形成有机立方氮化硼粉末包括通过等离子体处理将所述有机物附着至所述立方氮化硼原料粉末。

5.根据权利要求4所述的制造立方氮化硼烧结体的方法，其中，所述有机物为胺或氟化碳。

6.一种立方氮化硼烧结体，包含：大于等于85体积％且小于100体积％的立方氮化硼颗粒；和余量的结合剂，其中

所述结合剂包含WC、Co和Al化合物，并且

当使用TEM-EDX来分析包括所述立方氮化硼颗粒彼此相邻处的界面的界面区域时，

在全部或部分的所述界面上存在碳，并且

存在所述碳的区域的宽度D为0.1nm以上10nm以下。

7.根据权利要求6所述的立方氮化硼烧结体，其中，所述宽度D为0.1nm以上5nm以下。

8.根据权利要求6或7所述的立方氮化硼烧结体，其中，在存在所述碳的区域中所述碳的含量的最大值M为0.1原子％以上5.0原子％以下。

9.一种立方氮化硼烧结体，包含：大于等于85体积％且小于100体积％的立方氮化硼颗粒；和余量的结合剂，其中

所述结合剂包含WC、Co和Al化合物，

当使用TEM-EDX来分析包括所述立方氮化硼颗粒彼此相邻处的界面的界面区域时，

在全部或部分的所述界面上存在碳，并且

存在所述碳的区域的宽度D为0.1nm以上5nm以下，并且

在存在所述碳的区域中所述碳的含量的最大值M为0.1原子％以上5.0原子％以下。

10.一种切削工具，其包括根据权利要求6至9中任一项所述的立方氮化硼烧结体。