[发明专利]低寄生电容射频晶体管

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：具有第一表面和第二表面的硅有源层；靠近所述硅有源层的第一表面的一部分的第一绝缘层；靠近所述硅有源层的第二表面的一部分的第二绝缘层；靠近所述第二绝缘层的至少一个图案化金属互连层；靠近所述至少一个图案化金属互连层的第三绝缘层；以及靠近所述第三绝缘层的绝缘低介电常数衬底。

2.根据权利要求1所述的发明，还包括靠近所述第一绝缘层的再分布层。

3.根据权利要求1所述的发明，还包括MOSFET，所述MOSFET具有形成在所述硅有源层中和/或形成在所述硅有源层上的源极、主体、栅极和漏极。

4.根据权利要求3所述的发明，还包括靠近所述第一绝缘层和所述MOSFET主体的CAS栅极。

5.根据权利要求3所述的发明，还包括用于所述MOSFET的导热结构，所述导热结构包括：

(a)至少一个横向延伸的热路径，所述至少一个横向延伸的热路径具有近部分和远部分，所述近部分与所述MOSFET紧密热接触，并且所述远部分沿所述MOSFET的横向方向与所述MOSFET充分地间隔开，以能够耦合至总体上正交的热通路，每个横向延伸的热路径与所述MOSFET实质上电隔离；以及

(b)至少一个总体上正交的热通路，所述至少一个总体上正交的热通路热耦合至所述至少一个横向延伸的热路径，并且所述至少一个总体上正交的热通路被配置成将热从所述至少一个横向延伸的热路径传递至至少一个能够从外部接入的热焊盘。

6.根据权利要求5所述的发明，其中，所述至少一个横向延伸的热路径包括热耦合至所述MOSFET的至少一个伪栅极。

7.根据权利要求1所述的发明，其中，所述绝缘低介电常数衬底为下述之一：玻璃、石英、熔融二氧化硅、蓝宝石、铝氮化物、硅碳化物、高温共烧陶瓷(HTCC)或低温共烧陶瓷(LTCC)。

8.根据权利要求1所述的发明，其中，所述绝缘低介电常数衬底的介电常数小于硅的介电常数。

9.根据权利要求1所述的发明，其中，所述绝缘低介电常数衬底的介电常数不大于约10.8。

10.根据权利要求1所述的发明，其中，所述绝缘低介电常数衬底的介电常数小于约7。

11.根据权利要求1所述的发明，其中，所述绝缘低介电常数衬底包括靠近所述至少一个图案化金属互连层形成的至少一个空气腔。

12.一种半导体结构，包括：具有第一表面和第二表面的硅有源层；靠近所述硅有源层的第一表面的一部分的第一绝缘层；靠近所述硅有源层的第二表面的一部分的第二绝缘层；靠近所述第二绝缘层的至少一个图案化金属互连层；靠近所述第一绝缘层的第三绝缘层；以及靠近所述第三绝缘层的绝缘低介电常数衬底。

13.根据权利要求12所述的发明，还包括靠近所述第一绝缘层的再分布层。

14.根据权利要求12所述的发明，还包括MOSFET，所述MOSFET具有形成在所述硅有源层中和/或形成在所述硅有源层上的源极、主体、栅极和漏极。

15.根据权利要求14所述的发明，还包括靠近所述第一绝缘层和所述MOSFET主体的CAS栅极。