[发明专利]在不同类型的扩散区域中采用双扩散断裂(DDB)和单扩散断裂(SDB)的电路、以及相关的制造方法

权利要求书

1.一种电路，包括：

衬底，包括顶表面；

第一扩散区域，包括设置在所述衬底中的N型扩散区域或P型扩散区域，

所述第一扩散区域包括至少一个第一半导体沟道，每个所述第一半导体沟道在第一方向上具有第一纵轴；

第二扩散区域，包括与所述第一扩散区域的扩散类型相反的P型扩散区域或N型扩散区域，

所述第二扩散区域设置在所述衬底中并且包括至少一个第二半导体沟道，每个所述第二半导体沟道具有平行于所述第一纵轴的第二纵轴；

第一虚设栅极，沿着与所述第一纵轴正交的第三纵轴延伸，所述第一虚设栅极设置在所述第一扩散区域和所述第二扩散区域上方；以及

第二虚设栅极，沿着平行于所述第三纵轴的第四纵轴延伸，所述第二虚设栅极设置在所述第一扩散区域和所述第二扩散区域上方，所述第二虚设栅极以栅极间距与所述第一虚设栅极相邻；

在所述第一扩散区域中的双扩散断裂(DDB)，所述DDB包括：

沟槽隔离结构，在所述第一方向上所述沟槽隔离结构在所述第一虚设栅极与第二虚设栅极之间；

所述第一虚设栅极在所述第一扩散区域中的一部分；以及

所述第二虚设栅极在所述第一扩散区域中的一部分；

在所述第二扩散区域中的单扩散断裂(SDB)，所述SDB包括：

所述第一虚设栅极在所述第二扩散区域中的一部分；以及

所述第二虚设栅极在所述第二扩散区域中的一部分。

2.根据权利要求1所述的电路，其中：

所述第一扩散区域包括第一N型扩散区域；以及

所述至少一个第一半导体沟道包括至少一个第一N型半导体沟道结构；

所述第二扩散区域包括第一P型扩散区域；以及

所述至少一个第二半导体沟道包括至少一个第二P型半导体沟道结构。

3.根据权利要求2所述的电路，其中所述DDB被配置为在所述第一扩散区域中的所述至少一个第一半导体沟道的至少一部分中诱发拉伸应变。

4.根据权利要求1所述的电路，其中：

所述第一扩散区域包括第一P型扩散区域；以及

所述至少一个第一半导体沟道包括至少一个第一P型半导体沟道结构；

所述第二扩散区域包括第一N型扩散区域；以及

所述至少一个第二半导体沟道包括至少一个第二N型半导体沟道结构。

5.根据权利要求4所述的电路，其中所述DDB被配置为在所述第一扩散区域中的所述至少一个半导体沟道的至少一部分中诱发压缩应变。

6.根据权利要求1所述的电路，其中所述衬底还包括非扩散区域，所述非扩散区域在所述第一方向上沿着第五纵轴设置在所述第一扩散区域与所述第二扩散区域之间。

7.根据权利要求6所述的电路，其中所述非扩散区域包括沟槽隔离，所述沟槽隔离从所述衬底的所述顶表面延伸第一深度到所述衬底中。

8.根据权利要求1所述的电路，还包括第一栅极，所述第一栅极沿着与所述第一纵轴正交的第五纵轴，在所述第一扩散区域和所述第二扩散区域上方延伸。

9.根据权利要求8所述的电路，还包括第二有源栅极，所述第二有源栅极沿着平行于所述第三纵轴的第六纵轴，在所述第一扩散区域和所述第二扩散区域上方延伸；以及

其中所述第一虚设栅极以所述栅极间距与所述第二有源栅极相邻。

10.根据权利要求1所述的电路，其中：

所述第一虚设栅极进一步从所述衬底的所述顶表面延伸第一深度到所述衬底中；以及

所述第一虚设栅极进一步从所述衬底的所述顶表面延伸第二深度到所述衬底中。