[发明专利]蚀刻金属氧化物和保护腔室部件

权利要求书

1.一种从表面蚀刻氧化锡(SnO₂)膜的方法，所述方法包括：

使用亚硫酰氯(SOCl₂)化学物质来蚀刻至少一部分所述SnO₂膜；以及

通过使用所述SOCl₂化学物质从所述SnO₂膜中吸收氧，由此形成挥发性SO₂和挥发性SnCl₄。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述表面包括至少一种材料，所述材料包括铝和阳极化铝的材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，与可比较的流量和处理条件下氯Cl₂化学物质相比，用于蚀刻至少一部分所述SnO₂膜的所述SOCl₂化学物质产生高出达十倍的所述SnO₂膜的蚀刻速率。

4.根据权利要求1所述的方法，其还包括避免使用以下一种或多种化学物质以避免形成一种或多种挥发性卤化铝副产物，所述化学物质包括氯(Cl₂)、盐酸(HCl)、溴化物(Br)、氢溴酸(HBr)、三氯化硼(BCl₃)、碘化氢(HI)和碘(I₂)。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述表面包括基于等离子体的处理腔室的内部。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述SOCl₂化学物质不蚀刻阳极化铝。

7.一种从基于等离子体的处理腔室的内部清洁氧化锡的方法，所述方法包括：

将甲烷引入所述处理腔室；

在所述处理腔室内保持高于约135℃的温度以保持所述甲烷的浓度水平；以及

将亚硫酰氯引入所述处理腔室并避免将氯气引入所述处理腔室。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述基于等离子体的处理腔室的所述内部包括至少一种材料，所述材料包括铝和阳极化铝的材料。

9.根据权利要求8所述的方法，其还包括避免将一种或多种以下化学物质引入所述处理腔室中以避免形成一种或多种挥发性卤化铝副产物，所述化学物质包括盐酸(HCl)、溴化物(Br)、氢溴酸(HBr)、三氯化硼(BCl₃)、碘化氢(HI)和碘(I₂)。

10.一种用于从基于等离子体的处理腔室的铝和铝基表面去除金属氧化物膜的方法，所述方法包括：

将甲烷(CH₄)引入所述处理腔室；

将氢气(H₂)引入所述处理腔室；

在所述处理腔室内保持高于约135℃的温度以保持所述甲烷的浓度水平；以及

将亚硫酰氯(SOCl₂)引入所述处理腔室并避免将氯(Cl₂)引入所述处理腔室。

11.根据权利要求10所述的方法，其还包括避免将一种或多种以下化学物质引入所述处理腔室中以避免形成一种或多种挥发性卤化铝副产物，所述化学物质包括盐酸(HCl)、溴化物(Br)、氢溴酸(HBr)、三氯化硼(BCl₃)、碘化氢(HI)和碘(I₂)。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述金属氧化物膜是氧化锡(SnO₂)。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，使用两个亚硫酰氯(SOCl₂)分子蚀刻所述氧化锡(SnO₂)的反应产生四氯化锡(SnCl₄)加两个二氧化硫(SO₂)分子。