[发明专利]卤化物的制造方法有效
申请号: | 201980061920.5 | 申请日: | 2019-06-26 |
公开(公告)号: | CN112739653B | 公开(公告)日: | 2023-03-28 |
发明(设计)人: | 久保敬;西尾勇祐;酒井章裕;宫崎晃畅 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
主分类号: | C01F17/10 | 分类号: | C01F17/10;C01F17/30;H01M10/0562;H01B13/00 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 王磊;刘静 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 卤化物 制造 方法 | ||
本公开的卤化物的制造方法,包括将混合材料在惰性气体气氛下进行烧成的烧成工序,所述混合材料是混合有M2O3、NH4X和LiZ的材料。所述M包含选自Y、镧系元素和Sc中的至少一种元素。所述X是选自Cl、Br、I和F中的至少一种元素。所述Z是选自Cl、Br、I和F中的至少一种元素。
技术领域
本公开涉及卤化物的制造方法。
背景技术
专利文献1公开了一种卤化物固体电解质的制造方法。
在先技术文献
专利文献1:国际公开第2018/025582号
发明内容
发明要解决的课题
现有技术中,期望采用工业上生产率高的方法制造卤化物。
用于解决课题的手段
本公开的一个技术方案中的卤化物的制造方法,包括将混合材料在惰性气体气氛下进行烧成的烧成工序,所述混合材料是混合有M2O3、NH4X和LiZ的材料,所述M包含选自Y、镧系元素和Sc中的至少一种元素,所述X是选自Cl、Br、I和F中的至少一种元素,所述Z是选自Cl、Br、I和F中的至少一种元素。
发明的效果
根据本公开,能够采用工业上生产率高的方法制造卤化物。
附图说明
图1是表示实施方式1中的制造方法的一例的流程图。
图2是表示实施方式1中的制造方法的一例的流程图。
图3是表示实施方式1中的制造方法的一例的流程图。
图4是表示实施方式2中的制造方法的一例的流程图。
图5是表示实施方式2中的制造方法的烧成温度曲线的一例的图。
图6是表示离子传导率的评价方法的示意图。
图7是表示通过AC阻抗测定得到的离子传导率的评价结果的图表。
具体实施方式
以下,参照附图对实施方式进行说明。
(实施方式1)
图1是表示实施方式1中的制造方法的一例的流程图。
实施方式1中的制造方法包括烧成工序S1000。
烧成工序S1000是将混合材料在惰性气体气氛下进行烧成的工序。
在此,在烧成工序S1000中被烧成的混合材料,是混合有M2O3、NH4X和LiZ的材料。
此时,M包含选自Y(即、钇)、镧系元素(即、选自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种元素)和Sc(即、钪)中的至少一种元素。
另外,X是选自Cl、Br、I和F中的至少一种元素。
另外,Z是选自Cl、Br、I和F中的至少一种元素。
根据以上技术构成,能够采用工业上生产率高的方法(例如能够以低成本大量生产的方法)制造卤化物。即、能够不使用真空密封管和行星式球磨机,采用简单的制造方法(即、惰性气体气氛下的烧成)制造包含Li(即、锂)和M的卤化物。另外,由于能够由便宜的M2O3和NH4X简单地合成,因此能够进一步降低制造成本。
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