[发明专利]卤化物的制造方法有效

专利信息
申请号: 201980061920.5 申请日: 2019-06-26
公开(公告)号: CN112739653B 公开(公告)日: 2023-03-28
发明(设计)人: 久保敬;西尾勇祐;酒井章裕;宫崎晃畅 申请(专利权)人: 松下知识产权经营株式会社
主分类号: C01F17/10 分类号: C01F17/10;C01F17/30;H01M10/0562;H01B13/00
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 王磊;刘静
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 卤化物 制造 方法
【说明书】:

本公开的卤化物的制造方法,包括将混合材料在惰性气体气氛下进行烧成的烧成工序,所述混合材料是混合有M2O3、NH4X和LiZ的材料。所述M包含选自Y、镧系元素和Sc中的至少一种元素。所述X是选自Cl、Br、I和F中的至少一种元素。所述Z是选自Cl、Br、I和F中的至少一种元素。

技术领域

本公开涉及卤化物的制造方法。

背景技术

专利文献1公开了一种卤化物固体电解质的制造方法。

在先技术文献

专利文献1:国际公开第2018/025582号

发明内容

发明要解决的课题

现有技术中,期望采用工业上生产率高的方法制造卤化物。

用于解决课题的手段

本公开的一个技术方案中的卤化物的制造方法,包括将混合材料在惰性气体气氛下进行烧成的烧成工序,所述混合材料是混合有M2O3、NH4X和LiZ的材料,所述M包含选自Y、镧系元素和Sc中的至少一种元素,所述X是选自Cl、Br、I和F中的至少一种元素,所述Z是选自Cl、Br、I和F中的至少一种元素。

发明的效果

根据本公开,能够采用工业上生产率高的方法制造卤化物。

附图说明

图1是表示实施方式1中的制造方法的一例的流程图。

图2是表示实施方式1中的制造方法的一例的流程图。

图3是表示实施方式1中的制造方法的一例的流程图。

图4是表示实施方式2中的制造方法的一例的流程图。

图5是表示实施方式2中的制造方法的烧成温度曲线的一例的图。

图6是表示离子传导率的评价方法的示意图。

图7是表示通过AC阻抗测定得到的离子传导率的评价结果的图表。

具体实施方式

以下,参照附图对实施方式进行说明。

(实施方式1)

图1是表示实施方式1中的制造方法的一例的流程图。

实施方式1中的制造方法包括烧成工序S1000。

烧成工序S1000是将混合材料在惰性气体气氛下进行烧成的工序。

在此,在烧成工序S1000中被烧成的混合材料,是混合有M2O3、NH4X和LiZ的材料。

此时,M包含选自Y(即、钇)、镧系元素(即、选自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种元素)和Sc(即、钪)中的至少一种元素。

另外,X是选自Cl、Br、I和F中的至少一种元素。

另外,Z是选自Cl、Br、I和F中的至少一种元素。

根据以上技术构成,能够采用工业上生产率高的方法(例如能够以低成本大量生产的方法)制造卤化物。即、能够不使用真空密封管和行星式球磨机,采用简单的制造方法(即、惰性气体气氛下的烧成)制造包含Li(即、锂)和M的卤化物。另外,由于能够由便宜的M2O3和NH4X简单地合成,因此能够进一步降低制造成本。

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