[发明专利]显示装置及其制造方法在审
申请号: | 201980062084.2 | 申请日: | 2019-03-21 |
公开(公告)号: | CN112740407A | 公开(公告)日: | 2021-04-30 |
发明(设计)人: | 金大贤;韦德和·巴塞尔;李新兴;孔兑辰;李熙根;赵显敏;宋根圭;郭珍午 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/15;H01L33/38;H01L33/58;H01L33/00 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 张晓;刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
显示装置包括:基体层,包括显示区域和非显示区域;以及多个像素,设置在显示区域中,并且均具有多个子像素。根据本公开的一个实施例,每个子像素可以包括:显示元件层,包括像素电路单元、用于发射光的发射区域和设置在发射区域周围的非发射区域。显示元件层可以包括:分隔壁,设置在每个子像素的发射区域中;堤,设置在每个子像素的非发射区域中,并且与分隔壁位于同一表面上;第一电极和第二电极,设置在分隔壁上,并且彼此间隔开;以及至少一个发光元件,在每个子像素的发射区域中设置在第一电极与第二电极之间,并且发射光。
技术领域
本公开的各种实施例涉及一种显示装置,更具体地,涉及一种包括超小型发光元件的显示装置和制造该显示装置的方法。
背景技术
发光二极管即使在恶劣的环境条件下也可以具有相对令人满意的耐久性,并且在寿命和亮度方面具有优异的性能。最近,对将这种发光二极管应用于各种显示装置的技术的研究已经变得明显更活跃。
作为这种研究的一部分,正在开发使用无机晶体结构(例如,通过生长氮化物基半导体获得的结构)来制造具有与微米级或纳米级对应的超小型尺寸的发光二极管的技术。
发光二极管可以以足够小的尺寸制造以形成显示装置的像素等。发光二极管可以在基底上单独地独立生长,并且生长的发光二极管可以从基底分离并用于制造显示面板。在发光二极管用作显示面板的光源的情况下,可以在显示面板的每个像素中设置多个发光二极管。这里,如果多个发光二极管被设置为彼此紧密接触,则可能在相邻的发光二极管之间引起不期望的短路,由此会损坏发光二极管。结果,会发生发光二极管的缺陷。
发明内容
技术问题
本公开的各种实施例涉及一种利用减少数量的掩模通过简单的制造工艺形成的显示装置和一种制造该显示装置的方法。
技术方案
根据本公开的实施例的显示装置可以包括:基体层,包括显示区域和非显示区域;以及多个像素,设置在显示区域中,并且多个像素中的每个像素包括多个子像素。多个子像素中的每个子像素可以包括像素电路层和显示元件层,显示元件层包括发射光的发射区域和设置在发射区域的周边周围的非发射区域。显示元件层可以包括:分隔壁,设置在每个子像素的发射区域中;堤,设置在每个子像素的非发射区域中,堤与分隔壁设置在同一表面上;第一电极和第二电极,设置在分隔壁上,并且彼此间隔开;以及至少一个发光元件,发射光,发光元件在每个子像素的发射区域中在第一电极与第二电极之间。
在本公开的实施例中,分隔壁和堤可以包括相同的材料,并且可以彼此是一体的。
在本公开的实施例中,显示元件层还可以包括:第一接触电极,使第一电极与发光元件的相对端中的一端个连接;以及第二接触电极,使第二电极与发光元件的相对端中的剩余端连接。
在本公开的实施例中,显示元件层还可以包括:第一绝缘层,设置在发光元件与像素电路层之间;以及第二绝缘层,设置在发光元件的上表面的一部分上。
在本公开的实施例中,第一接触电极和第二接触电极可以设置在同一层上,并且在第二绝缘层上彼此间隔开且彼此电绝缘。
在本公开的实施例中,像素电路层可以包括:至少一个晶体管,设置在基体层上;以及钝化层,设置在晶体管上。
在本公开的实施例中,钝化层可以与分隔壁和堤在同一表面上。
在本公开的实施例中,钝化层可以与分隔壁和堤是一体的,并且可以包括与分隔壁和堤的材料相同的材料。
在本公开的实施例中,显示装置还可以包括:导电图案,设置在基体层与晶体管之间。
在本公开的实施例中,导电图案可以包括:光屏蔽图案,阻挡光进入基体层的后表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的