[发明专利]确定电气或电子系统的特征温度

权利要求书

1.一种用于确定电气或电子系统的特征温度(T_j)的方法，其中，所述方法包括：

-在所述系统的操作期间，测量所述系统的一个或多个特征参数；

-基于所述系统的热模型(M_th)和测量的参数的第一子集来估计特征温度(T_j)；

-基于TSEP模型(M_TSEP)和估计的特征温度(T_j)来预测温度敏感电气参数TSEP的第一值(V1)；

-基于测量的参数的第二子集来确定TSEP的第二值(V2)；

-比较TSEP的第一值(V1)和第二值(V2)；以及

-基于比较的结果来适配热模型(M_th)或TSEP模型(M_TSEP)。

2.根据权利要求1所述的方法，包括：

-基于另一TSEP模型和估计的特征温度(T_j)来预测另一TSEP的第一值(V1)；

-基于测量的参数的第二子集来确定所述另一TSEP的第二值(V2)；

-比较所述另一TSEP的第一值(V1)和第二值(V2)；

-其中，基于所述另一TSEP的第一值(V1)与第二值(V2)的比较的结果来适配热模型(M_th)或TSEP模型(M_TSEP)。

3.根据权利要求1或2中的一项所述的方法，其中：

-所述方法还包括至少重复以下步骤：测量特征参数，估计特征温度(T_j)以及预测TSEP的第一值(V1)；并且

-对于重复，使用适配的热模型代替热模型(M_th)，并且/或者，使用适配的TSEP模型代替TSEP模型(M_TSEP)。

4.根据权利要求1至3中的一项所述的方法，其中，特征温度(T_j)是包括在所述系统中的电气或电子装置的特征温度(T_j)。

5.根据权利要求4所述的方法，其中：

-所述系统是电力电子系统；并且

-特征温度(T_j)是包括在所述系统中的功率半导体装置(PS)的特征温度(T_j)，尤其是结温(T_j)。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，第一子集包括以下参数中的至少一个：

-功率半导体装置(PS)的导通状态电流(I_on)；

-功率半导体装置(PS)的导通状态电压(V_on)；

-功率半导体装置(PS)的断开状态电压(V_off)；

-功率半导体装置(PS)在相应测量间隔内的总导通状态持续时间(t_on)；

-功率半导体装置(PS)在相应测量间隔内的总断开状态持续时间(t_off)；

-电力电子系统的参考温度(T_b)。

7.根据权利要求5或6中的一项所述的方法，其中，第二子集包括功率半导体装置(PS)的导通状态电流(I_on)和/或导通状态电压(V_on)。

8.根据权利要求5至7中的一项所述的方法，其中，TSEP由以下给出：

-功率半导体装置(PS)的导通状态电压(V_on)，尤其是在功率半导体装置(PS)的预定导通状态电流(I_on)处；或者

-功率半导体装置(PS)的栅极阈值电压；或者

-功率半导体装置(PS)的内部栅极电阻；或者

-功率半导体装置(PS)的特征开关参数，尤其是在预定导通状态电压(V_on)或断开状态电压(V_off)或导通状态电流(I_on)处。