[发明专利]用于生产粒状材料的方法

权利要求书

1.一种用于生产粒状材料的方法，所述粒状材料包含至少一种可用于制造电子器件的功能层的功能材料(FM)，所述方法包括以下步骤：

A)在施加容器中提供可用于制造电子器件的功能层的功能材料的熔体；

B)将A)中获得的所述熔体转移到落料管；

C)将在步骤B)中的转移到所述落料管中的所述熔体冷却以获得粒状材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于可用于制造电子器件的功能层的所述功能材料(FM)选自荧光发光体、磷光发光体、展现出TADF(热激活延迟荧光)的发光体、主体材料、电子传输材料、激子阻挡材料、电子注入材料、空穴导体材料、空穴注入材料、n型掺杂剂、p型掺杂剂、宽带隙材料、电子阻挡材料、空穴阻挡材料和/或具有液晶性质的材料。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于可用于制造电子器件的功能层的所述功能材料(FM)在50℃以上的温度下是可熔的，而不分解。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于可用于制造电子器件的功能层的所述功能材料(FM)在加工温度下处于熔融状态，所述功能材料在10小时的储存期内展现出不超过0.1重量％的降解。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于在步骤B)中所述熔体转移到落料管时的压力高于所述落料管中的压力，其中所述施加容器中的压力至少为150毫巴，优选在400毫巴至700毫巴的范围内，并且所述落料管中的压力至少为75毫巴，优选250毫巴至500毫巴。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于步骤B)中的转移到所述落料管的所述熔体在步骤C)中用惰性气体冷却。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于所述惰性气体具有不超过0℃，优选在-200℃至-70℃范围内的温度。

8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于步骤B)中的转移到所述落料管中的所述熔体在步骤C)中在至少50cm的落料高度，优选在100cm至800cm范围内的落料高度上冷却。

9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于所述落料管中的绝对压力在100毫巴至750毫巴的范围内，优选在250毫巴至500毫巴的范围内。

10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于所述熔体在步骤B)中是通过喷嘴转移到所述落料管中。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于所述喷嘴具有不超过0.7mm的直径，优选在0.1mm至0.5mm范围内的直径，更优选在0.2mm至0.3mm范围内的直径。

12.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于可用于制造电子器件的功能层的所述功能材料(FM)选自含苯基化合物、芴、茚并芴、螺二芴、咔唑、茚并咔唑、吲哚并咔唑、螺咔唑、嘧啶、三嗪、内酰胺、三芳基胺、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咪唑、苯并咪唑、苯并唑、苯并噻唑、5-芳基菲啶-6-酮、9,10-脱氢菲、荧蒽、蒽、苯并蒽、茚并[1,2,3-jk]芴。

13.一种粒状材料，所述粒状材料可通过根据权利要求1至12所述的方法获得。

14.根据权利要求13所述的粒状材料用于制造电子器件的用途。

15.根据权利要求14所述的用途，其特征在于将所述粒状材料转移到蒸发器装置。