[发明专利]用于存储器装置的行锤击保护

说明书

本发明描述用于存储器装置的行锤击保护的方法、系统和装置。存储器装置可识别用于存储器阵列的相关行存取的阈值(例如，对同一行地址或行地址空间的存取命令或激活)。在第一操作模式中，所述存储器装置可在所述存储器阵列上执行从主机装置接收的命令。所述存储器装置可确定所述所接收的行存取命令的度量满足相关行存取的所述阈值。所述存储器装置可基于满足所述阈值，使所述存储器阵列从所述第一操作模式切换到第二操作模式。所述第二操作模式可约束对所述存储器的至少一行的存取，而所述第一模式可具有较低约束性。另外或替代地，所述存储器装置可向所述主机装置通知所述度量已满足所述阈值。

交叉引用

本专利申请案主张沙佛(Schaefer)等人2019年8月20日申请的标题为“用于存储器装置的行锤击保护(ROW HAMMER PROTECTION FOR A MEMORY DEVICE)”的美国专利申请案第16/546,252号和沙佛等人2018年9月7日申请的标题为“用于存储器装置的行锤击保护(ROW HAMMER PROTECTION FOR A MEMORY DEVICE)”的美国临时专利申请案第62/728,490号的优先权，所述申请案中的每一篇均转让给本受让人并且均明确地以全文引用的方式并入本文中。

背景技术

下文大体上涉及包含至少一个存储器装置的系统，且更具体来说，涉及用于存储器装置的行锤击保护。

存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等的各种电子装置中。通过对存储器装置的不同状态进行编程来存储信息。举例来说，二进制装置最经常存储两个状态中的一个，经常由逻辑1或逻辑0表示。在其它装置中，可存储两个以上状态。为了存取所存储的信息，装置的组件可读取或感测存储器装置中的至少一个所存储状态。为了存储信息，装置的组件可写入或编程存储器装置中的状态。

存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、静态RAM(SRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻性RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)等。存储器装置可以是易失性或非易失性的。例如FeRAM的非易失性存储器可维持其所存储的逻辑状态很长一段时间，即使无外部电源存在也是这样。例如DRAM和SRAM的易失性存储器装置除非连接到外部电源否则可随时间丢失其所存储的状态。例如DRAM的动态存储器装置也可使用周期性刷新来维持存储器单元状态。

在一些情况下，一些类型的存储器(例如，动态随机存取存储器(DRAM))的存储器状态可在频繁行激活(可被称为行锤击)的情况下受到影响。举例来说，如果在一时间间隔内重复存取行(例如，行被锤击)，那么由重复存取一或多个行引起的泄漏、寄生电流或电荷泵送可致使不被存取的物理邻近(例如，相邻)行中的数据损坏。随着存储器的尺寸减小，可在行锤击期间经历数据损坏的物理邻近行的数目(例如，受害者行的数目)可增加。一般来说，改进存储器装置可包含增加存储器单元密度、增加读取/写入速度、增加可靠性、增加数据保持、降低功率消耗或降低制造成本以及其它度量。此外，在行锤击的情况下改进存储器装置性能(例如，增加可靠性、增加数据保持)可为所要的。

附图说明

图1说明如本文中所公开的支持用于存储器装置的行锤击保护的系统的实例。

图2说明如本文中所公开的支持用于存储器装置的行锤击保护的存储器裸片的实例。

图3说明如本文中所公开的支持用于存储器装置的行锤击保护的系统的实例。

图4到6示出如本文中所公开的支持用于存储器装置的行锤击保护的过程流。

图7示出如本文中所公开的支持用于存储器装置的行锤击保护的电路系统的框图。

图8和9示出说明如本文中所公开的支持用于存储器装置的行锤击保护的一或多种方法的流程图。

具体实施方式