[发明专利]具有集成加热器的腔室盖

说明书

本文所述的实现提供一种腔室盖组件。在一个实施例中，腔室盖组件包含嵌入在形成处理腔室的边界的介电主体中的加热器，其中所述加热器具有被独立地控制的一个或更多个加热区。

背景技术

技术领域

本文公开的实施例总体上涉及半导体制造，并且更具体地涉及具有集成加热器的盖组件及其使用方法。

相关技术说明

在集成电路的制造中，需要对各种工艺参数的精确控制，以用于在基板内实现一致的结果，以及从基板到基板可再现的结果。随着装置图案的特征尺寸变小，这些特征的临界尺寸(CD)需求成为稳定和可重复的装置性能的更重要标准。随着用于形成半导体器件的结构的几何形状限制被推动对抗技术限制，更严格的公差和精确的工艺控制对于制造成功至关重要。然而，随着几何形状的缩小，精确的临界尺寸和蚀刻工艺控制变得越来越困难。由于腔室的非对称性(诸如腔室和基板温度、流导(flow conductance)和射频场)，跨处理腔室内处理的基板的可允许CD变化很难实现。

许多半导体元件在等离子体的存在下被加工。如果没有均匀地控制等离子体，则处理结果也可能是非均匀的。传统等离子体腔室通常包含形成腔室边界的盖。等离子体源定位成相邻于盖以在腔室中产生等离子体。在一些传统腔室中，离散加热器组件定位在等离子体源与盖之间。

然而，加热器组件影响RF耦合和/或冲击性能，这负面地影响腔室中的等离子体均匀性。另外，在执行腔室维护时，为了移除盖，加热器组件是必须移除的附加部件。

因此，需要一种改进的腔室盖，所述腔室盖提供改进等离子体处理的各方面。

发明内容

本文所述的实现提供一种腔室盖组件。在一个实施例中，腔室盖组件包含嵌入在形成处理腔室的边界的介电主体中的加热器，其中所述加热器具有被独立地控制的一个或更多个加热区。

在另一实施例中，处理腔室包含：腔室主体，设置在所述腔室主体中的基板支撑组件，以及盖组件。所述盖组件包含嵌入在介电主体中的加热器，其中所述加热器具有被独立地控制的一个或更多个加热区。

在另一实施例中，处理腔室包含：腔室主体，设置在所述腔室主体中基板支撑组件，以及盖组件。所述盖组件包含嵌入在介电主体中的加热器，以及电磁屏蔽，所述电磁屏蔽嵌入在所述介电主体中相邻于所述加热器，其中所述加热器具有被独立地控制的一个或更多个加热区。

附图说明

为了可详细地理解本公开的上述特征的方式，可通过参考本文公开的实施例来对以上简要概述的本公开进行更具体的描述，所述实施例中的一些实施例在附图中示出。然而，应注意，附图仅示出了本公开的典型实现，并且因此不应被视为是对其范围的限制，因为本公开可允许其他等效的实现。

图1是具有基板支撑组件的一个实施例的示例性蚀刻处理腔室的横截面示意图。

图2是根据一个实施例的腔室盖组件的等距视图。

图3是可与图1的处理腔室一起使用的腔室盖组件的另一实施例的平面图。

图4是沿着图3的线4-4的腔室盖组件的截面图。

为了便于理解，已尽可能使用相同的附图标记来表示附图中共有的相同元件。构想的是，在一个实现中公开的元件可在没有特定叙述的情况下有益地用于其他实现中。

具体实施方式

本文公开的实施例提供一种具有集成加热器的腔室盖组件和具有所述腔室盖组件的处理腔室。腔室盖组件可用于蚀刻腔室中以改进等离子体冲击以及等离子体均匀性。尽管下面在蚀刻处理腔室中描述腔室盖组件，但是腔室盖组件可用于其他类型的等离子体处理腔室(诸如物理气相沉积腔室、化学气相沉积腔室、离子注入腔室、剥离腔室等)、以及需要调谐等离子体轮廓的其他等离子体系统中。