[发明专利]在EUV光源中用于靶量测和改变的激光系统

权利要求书

1.一种装置，包括：

激光系统，被配置为从单个激光源生成量测辐射和工作辐射；

第一光学系统，被布置为将所述量测辐射沿着第一光路传送到照射区域；

第二光学系统，被布置为传送由在所述照射区域中的靶材料反射的反射量测辐射；

量测模块，被布置为接收所述反射量测辐射，并且所述量测模块被配置为执行对所述反射量测辐射的分析，以及至少部分地基于所述分析生成控制信号；以及

控向模块，被布置为接收所述控制信号，并且所述控向模块被配置为响应于所述控制信号而对所述工作辐射进行控向，所述第一光学系统将所述工作辐射传送到在所述照射区域中的照射部位。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述激光系统还被配置为在给定时间仅生成所述量测辐射和所述工作辐射中的一项。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述激光系统还被配置为根据来自所述单个激光源的初始辐射，生成所述量测辐射和所述工作辐射。

4.根据权利要求3所述的装置，其中所述激光系统还被配置为将所述初始辐射分为所述量测辐射和所述工作辐射。

5.根据权利要求1所述的装置，其中在所述控制模块确定所述反射量测辐射满足预定标准之后的预定时间，所述控制模块生成所述控制信号。

6.根据权利要求5所述的装置，其中所述预定标准是所述反射量测辐射的检测到的存在。

7.根据权利要求5所述的装置，其中所述预定标准是所述反射量测辐射的幅度超过预定阈值。

8.根据权利要求5所述的装置，其中所述预定标准是所述反射量测辐射的定时。

9.根据权利要求5所述的装置，其中所述预定标准是所述反射量测辐射达到最大值。

10.根据权利要求5所述的装置，其中所述预定时间紧接在所述控制模块确定所述反射量测辐射满足所述预定标准之后。

11.根据权利要求1所述的装置，其中所述量测辐射具有的辐照度低于能够显著扰动所述靶材料的值。

12.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一光学系统和所述第二光学系统共享至少一个光学元件。

13.根据权利要求1所述的装置，其中所述量测辐射是量测脉冲。

14.根据权利要求1所述的装置，其中所述量测辐射是准CW激光辐射。

15.根据权利要求1所述的装置，其中所述工作辐射包括预脉冲。

16.根据权利要求1所述的装置，其中所述工作辐射包括电离脉冲。

17.根据权利要求1所述的装置，其中所述控制模块响应于确定所述反射量测辐射满足预定标准而生成聚焦控制信号，并且所述装置还包括位于所述第一光路中的具有第一状态和第二状态的聚焦模块，在所述第一状态下，所述照射区域中的辐射的第一光束宽度具有第一值，在所述第二状态下，在所述照射区域中穿过的辐射的第二光束宽度具有第二值。

18.一种辐射源，具有激光器，所述激光器被配置为具有第一状态和第二状态，在所述第一状态下，所述激光器生成量测辐射，在所述第二状态下，所述激光器生成工作辐射，所述辐射源响应于控制信号以从所述第一状态转变到所述第二状态。