[发明专利]存储元件、半导体装置、磁记录阵列和存储元件的制造方法

权利要求书

1.一种存储元件，其特征在于：

具有：

第1铁磁性层；

第2铁磁性层；

非磁性层，其在第1方向上被所述第1铁磁性层和所述第2铁磁性层夹持；

第1配线，其沿与所述第1方向不同的第2方向延伸，在所述第1方向上与所述非磁性层夹持所述第1铁磁性层；和

电极，其在所述第1方向上由至少一部分与所述非磁性层夹持所述第2铁磁性层，

所述电极与所述第2铁磁性层的侧面的至少一部分相接。

2.如权利要求1所述的存储元件，其特征在于：

所述电极具有：第1部分，其覆盖所述第2铁磁性层的与所述非磁性层相反侧的第1面；和第2部分，其覆盖所述第1部分并沿第2方向延伸，

所述第2部分与所述第2铁磁性层的侧面的至少一部分相接，

所述第2部分相较于所述第1部分为低电阻。

3.如权利要求2所述的存储元件，其特征在于：

所述电极具有第3部分，其与所述第2部分相接，

在所述第2部分与所述第3部分之间，具有化合物层。

4.如权利要求1或2所述的存储元件，其特征在于：

具有所述第1配线与所述电极在所述第1方向上的距离不同的部分。

5.如权利要求1～4中的任一项所述的存储元件，其特征在于：

在所述第2方向上夹持所述第1铁磁性层的位置，还具有连接于所述第1配线的第1导电部和第2导电部，

所述第1铁磁性层的所述第1导电部侧的第1端与所述第1导电部的所述第1铁磁性层侧的第2端在所述第2方向上的中点处的所述第1配线与所述电极的第1距离，比相较于所述中点更远离所述第1铁磁性层的位置处的所述第1配线与所述电极的第2距离近。

6.如权利要求1～5中的任一项所述的存储元件，其特征在于：

在所述第2方向上夹持所述第1铁磁性层的位置，还具有连接于所述第1配线的第1导电部和第2导电部，

所述第1铁磁性层的所述第1导电部侧的第1端与所述第1导电部的所述第1铁磁性层侧的第2端在所述第2方向上的中点处的所述第1配线与所述电极的第1距离，比所述电极与所述第2铁磁性层或所述非磁性层的交点处的所述第1配线与所述电极的第3距离近。

7.如权利要求1～6中的任一项所述的存储元件，其特征在于：

所述电极的所述第1配线侧的面具有相对于与所述第1方向正交的第1平面倾斜的倾斜面，

所述倾斜面的第1点处的切平面相对于所述第1平面的倾斜度，比相较于所述第1点更位于所述第2铁磁性层侧的第2点处的切平面相对于所述第1平面的倾斜度大。

8.如权利要求1～7中的任一项所述的存储元件，其特征在于：

所述第1配线包含具有利用电流流动时的自旋霍尔效应产生自旋流的功能的金属、合金、金属间化合物、金属硼化物、金属碳化物、金属硅化物、金属磷化物中的任一种。

9.一种半导体装置，其特征在于：

具备：

权利要求1～8中的任一项所述的存储元件；和

与所述存储元件电连接的多个开关元件。

10.一种磁记录阵列，其特征在于：

具有多个权利要求1～8中的任一项所述的存储元件。

11.一种存储元件的制造方法，其特征在于：

具备：

依次层叠导电层、第1磁性层、非磁性层、第2磁性层的工序；

将第1磁性层、非磁性层、第2磁性层加工成规定的形状，形成以第1铁磁性层、非磁性层、第2铁磁性层的顺序层叠的磁阻效应元件的工序；

以使所述第2铁磁性层的侧面露出的方式用绝缘层包覆所述磁阻效应元件的周围的工序；和

在所述磁阻效应元件和所述绝缘层的一面形成电极的工序。