[发明专利]多晶立方氮化硼及其制造方法有效
| 申请号： | 201980063098.6 | 申请日： | 2019-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN112752737B | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 平野力;久木野晓;平井慧 | 申请（专利权）人： | 住友电工硬质合金株式会社;住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/5831 | 分类号： | C04B35/5831;C04B35/645 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张苏娜;樊晓焕 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 立方 氮化 及其 制造 方法 | ||
1.一种多晶立方氮化硼，包含含量为98.5体积%以上的立方氮化硼，
所述多晶立方氮化硼的位错密度为8×1015/m2以下，
所述多晶立方氮化硼包含多个晶粒，并且
所述多个晶粒的圆当量直径的中位直径d50为0.1μm以上0.5μm以下，
所述圆当量直径是指在所述多晶立方氮化硼的截面中具有与所述多个晶粒相同面积的圆的直径。
2.根据权利要求1所述的多晶立方氮化硼，其中
所述位错密度为7×1015/m2以下。
3.根据权利要求1所述的多晶立方氮化硼，其中
所述多晶立方氮化硼包含多个晶粒，并且
当用扫描电子显微镜以10,000倍的放大倍率观察所述多晶立方氮化硼的截面时，所述多晶立方氮化硼中圆当量直径为1μm以上的晶粒的面积比率S1为20面积%以下。
4.根据权利要求2所述的多晶立方氮化硼，其中
所述多晶立方氮化硼包含多个晶粒，并且
当用扫描电子显微镜以10,000倍的放大倍率观察所述多晶立方氮化硼的截面时，所述多晶立方氮化硼中圆当量直径为1μm以上的晶粒的面积比率S1为20面积%以下。
5.根据权利要求3所述的多晶立方氮化硼，其中
所述面积比率S1为15面积%以下。
6.根据权利要求4所述的多晶立方氮化硼，其中
所述面积比率S1为15面积%以下。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的多晶立方氮化硼，当用扫描电子显微镜以10,000倍的放大倍率观察所述多晶立方氮化硼的截面时，所述多晶立方氮化硼中纵横比为4以上的板状颗粒的面积比率S2为5面积%以下。
8.根据权利要求1至6中任一项所述的多晶立方氮化硼，其中所述多晶立方氮化硼中的压缩六方氮化硼和纤锌矿氮化硼的总含有率为0体积%以上1.5体积%以下。
9.根据权利要求7所述的多晶立方氮化硼，其中所述多晶立方氮化硼中的压缩六方氮化硼和纤锌矿氮化硼的总含有率为0体积%以上1.5体积%以下。
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