[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，

具备：

半导体芯片(12)，在SiC基板中形成有元件，在一面及与上述一面在板厚方向上相反的背面分别形成有主电极；

第1散热片(16)及第2散热片(24)，是在上述板厚方向上夹着上述半导体芯片而配置的一对散热片，上述第1散热片(16)配置在上述一面侧，上述第2散热片(24)配置在上述背面侧；

接线部(20)，介于上述第2散热片与上述半导体芯片之间，将上述背面侧的主电极和上述第2散热片进行电中继；以及

接合部件(18、22、26)，分别配置在上述一面侧的主电极与上述第1散热片之间、上述背面侧的主电极与上述接线部之间、上述接线部与上述第2散热片之间；

上述接线部在上述板厚方向上层叠有多种金属层(20a、20b、20c、20d)；

作为上述接线部的整体，至少与上述板厚方向正交的方向的线膨胀系数被设为比上述半导体芯片大且比上述第2散热片小的范围内；

在上述接线部中，上述多种金属层在上述板厚方向上对称配置。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述接线部中，作为上述金属层，具有Cu层和含有Cu的合金层，上述接线部是依次层叠了上述Cu层和上述合金层的3层以上的包层体。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

在上述板厚方向上，上述接线部的表层为上述Cu层。

4.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

在上述板厚方向上，上述接线部的表层为上述合金层。

5.如权利要求2～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述合金层含有Cr。

6.一种半导体装置，其特征在于，

具备：

半导体芯片(12)，在SiC基板中形成有元件，在一面及与该一面在板厚方向上相反的背面分别形成有主电极；

第1散热片(16)及第2散热片(24)，是在上述板厚方向上夹着上述半导体芯片而配置的一对散热片，上述第1散热片(16)配置在上述一面侧，上述第2散热片(24)配置在上述背面侧；

接线部(20)，介于上述第2散热片与上述半导体芯片之间，将上述背面侧的主电极和上述第2散热片进行电中继；以及

接合部件(18、22、26)，分别配置在上述一面侧的主电极与上述第1散热片之间、上述背面侧的主电极与上述接线部之间、上述接线部与上述第2散热片之间；

上述接线部是在上述板厚方向上依次层叠有Cu层(20a、20c)和含有Cu及Cr的合金层(20b)的3层以上的包层体，上述Cu层及上述合金层在上述板厚方向上对称配置。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

上述第1散热片及上述第2散热片的至少1个包含具有Cu层(16d、24d)和含有Cu的合金层(16e、24e)、并且将上述Cu层和上述合金层依次层叠的3层以上的包层体。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

还具备将上述半导体芯片、上述接线部、上述接合部件、上述第1散热片及上述第2散热片一体地封固的封固树脂体(14)；

上述散热片的合金层含有Cr，并且相对于上述封固树脂体的表面以共面的方式露出。

9.如权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

对于上述接合部件的至少1个，采用了含有3.2～3.8质量％的Ag、0.6～0.8质量％的Cu、0.01～0.2质量％的Ni并且含有Sb和Bi的无铅钎焊部。